实验九金氧半场效电晶体的特性 - Mipaper.PDF

應用電子學實驗講義(I) 實驗九 金氧半場效電晶體的特性 實驗目的 1.瞭解 NMOS 與 PMOS 之直流操作特性，並比較他們的異同。 2. 測試操作特性的溫度效應。 實驗儀器 ZVP4424A 、ZVN4424A 各一枚； 電熱吹風機（請自備） 。 2SK1828 、2SJ343 各一枚； 精密電阻 51 Ω　 一枚； 精密電阻 1k 一枚； 冷卻劑； 預習問題 1.閱讀應電實驗室網頁元件資料庫中 ZVP4424A 和 ZVN4424A的資料，我們用的是 TO-92 包裝的元件，請畫出他們的接腳。並查出他們的元件參數（ k 與 V ）範圍。 T 2.寫出 NMOS和 PMOS在線性區及飽和區的電流電壓特性方程式。 3. 為何將加強型 MOS的 G和 D極短路，在 DS間加偏壓， MOS 一定在截止或飽和區操作？ 4.閱讀應電實驗室網頁元件資料庫中 2SK1828和 2SJ343的資料，請畫出他們的接腳並記錄 元件背上英文編號。 背景知識 1. MOSFET的操作原理及分類。 2. NMOS和 PMOS的直流電流電壓特性。 ZVP4424A和 ZVN4424A的說明 ： 這個實驗所用到的 MOSFET 編號是 ZVP4424A和 ZVN4424A ，前者是PMOS ，而後者是 NMOS電晶體，他們的接腳圖請查閱元件資料庫的網頁。我們使用的這兩種電晶體源極 （source ） 已經和基板（ substrate ）連在一起，也有一些其他的電晶體源極（source ）和基板（substrate ） 沒有連在一起，我們可以根據需要來選擇用哪一個電晶體。 這次實驗所使用的 MOSFET都是加強型的（ enhancement ），在VGS=0時，他們應該是在截止 區（ OFF ），即源極（source ）和汲極（drain ）間不導通。 實驗步驟 一MOS中之二極體 我們這裡要利用實驗「二極體的特性」的步驟 （「動態二極體特性曲線」測試方法）來測試 PMOS和 NMOS中 D （汲）極和基板間二極體的特性。測量方法示意圖如下圖( 9.1) ： - 1 - 應用電子學實驗講義(I) A D A A B Ch Ch D R G ZVP4424 1k 訊號產生 A S 器 示波器 B B 的 X-Y 圖 9.1 1.我們先選一個 PMOS 來測試，閘極和源極連在一起以避免閘極浮接效應（floating gate effect