矽晶片上之硒化镉与金奈米粒子感光元件设计与制程摘要.pdf

矽晶片上之硒化鎘與金奈米粒子感光元件 設計與製程 研究生：杜長慶 指導教授：吳重雨 老師 李耀坤 老師 國立交通大學電子工程學系研究所碩士班 摘要 在這篇論文中 ，我們運用 5 nm 粒徑之硒化鎘奈米粒子及 15 nm 粒徑之 金奈米粒子，透過庫倫吸引力，建構奈米感光元件於矽晶片上。為了產生 庫倫吸引力於矽晶片奈米粒子之間，我們在矽晶片上之二氧化矽表面產成 一層化學物質，N-[3-(trimethoxysilyl)propyl]-ethylene diamine (TMSPED) 。 這樣的化學分子一端與二氧化矽產生穩定的分子鍵 (covalent bond) ，另外一 端有氨基 (amino groups) ，經過質子化 (protonation) 後可帶正電。將黏有 TMSPED的矽晶片浸泡在含有金奈米粒子的水溶液中， TMSPED的正電會 吸引金奈米粒子表面的正電，進而將金 奈米粒子黏在晶片上。接下來我們 將黏有金奈米粒子的矽晶片浸泡在表面含有帶正電之硒化鎘奈米粒子溶 液。同樣地，透過庫倫吸引力將硒化鎘 奈米粒子黏金奈米粒子表面上。為 i 了 要 使 硒 化 鎘 奈 米 粒 子 帶 正 電 ， 我 們 在 它 表 面 上 在 生 成 4-(2-Aminoethyl)phenol (Tyramine) 分子。理論上，經過一次次重複的組裝 過程，我們能形成含有多層硒化鎘奈米 粒子及金奈米粒子的奈米結構在矽 晶片上 。接著我們在矽晶片上之電極兩端加上電壓 ，並在有照 375 nm 光線 或是完全黑的情況下，量測流過奈米感 光元件的電流。實踐結果發現，在 照光後 ，在各種電壓下有固定約 2 nA的電流增加 。這樣的特性主要來自於 硒化鎘奈米粒子與金奈米粒子間之 “nano-Schottky-diode” 結構。除此之 外，在同樣的寬度，越長的電極能量到越大的電流變化。 ii The Design and Fabrication of Photo-Sensing Nanodevice Composed of CdSe and Au Nanoparticles on Silicon Chip Student ：Chang-Ching Tu Advisor ：Chung-Yu Wu Yaw-Kuen Li Department of Electronics Engineering Institute of Electronics National Chiao Tung University ABSTRACT In this work, we used approximately 5 nm diameter CdSe nanoparticles (NPs) and 15 nm diameter Au NPs to fabricate the photo-sensing nanodevice on silicon oxide substrate by ionic interaction, where Au NPs serve as bridges to connect between CdSe NPs. To introduce Coulombic attraction between NPs and s