引进新辅助蒸发离子源.docVIP

新型辅助蒸发镀（等）离子源 --微波ECR单栅离子源介绍 合肥研飞电器科技有限公司 一、离子辅助蒸发镀膜技术 真空蒸发是制备介质薄膜的主要方法，它历史悠久，工艺成熟，使用广泛。但是同时也存在严重的缺陷:产品质地疏松、牢固性差、容易损坏。 离子辅助蒸发镀膜是以荷能离子为特征的近代镀膜新工艺，参见图1-1。在镀膜之前进行清洗，在镀膜中进行辅助沉积薄膜，使得薄膜产品的性能及力学性能得到大幅提高。这种新工艺适合镀增透膜、眼镜镀膜、光纤光学镀、高反镜、热/冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器和类金刚石沉积等。 图1-1 离子辅助镀膜示意图。 图1-1 离子辅助镀膜示意图。 宽束离子源是离子辅助蒸发镀膜技术的关键。实际上，通常意义上的离子源包含了等离子束源和离子束源。等离子束源：离子能量是分布式的（数十到数百eV可调），束较宽，散角达几十度（参见图1）。离子束源：离子能量是单能，从100eV-2000eV可调；束较窄，散角仅几度。从源结构，操控，维护和性价比几方面来比较，人们总是希望选择等离子束源。 辅助蒸发镀（等）离子源的研发进程 在很长一段时间里，直流激励热阴极Kuafmna离子源[1]（参见图2-1）是镀膜设备的标准装备。但Kuafmna离子源用热阴极，存在杂质污染，需频繁更换；不能使用与氧、氮等反应气体；用多栅极加速，操控较难，使用成本较高。近年来，许多企业为了降低成本，逐步将其淘汰。在低端产生中通常使用阴极引出的霍尔（Hall）源[2],参见图2-2；在高端产生中使用APS(Advanced Plasma Source)[3]，参见图2-3。 图2-1 考夫曼源示意图。 图2-1 考夫曼源示意图。 图2-2 霍尔离子源结构原理图。 图2-2 霍尔离子源结构原理图。 图2-3 APS结构原理简图。 图2-3 APS结构原理简图。 霍尔源的缺点很明显：(1)由于离子的溅射，阴极灯丝(钨)对膜层产生金属污染很严重，实验己经发现，随着离子能量和束流强度的增加，薄膜中钨的含量也增加。介质膜中的金属会显著增加膜的消光系数(或吸收系数)，对于要求较高的场合，这种污染必需消除。(2)灯丝使用寿命短，维护量大，并且只能用惰性气体，反应气体会使灯丝的寿命大大缩短。 为了消除污染和延长寿命，德国莱宝公司推出了APS。它的特点是：(1)用很粗大的BLa6棒作阴极③，(2)很长很深的阳极管包围着阴极②，(3)另外有一个加热BLa6阴极达1500度的加热器④，(4)另有一层法拉第屏蔽②⑦，(5)进气管在离子源出口而不在底部①，(6)功率非常大，仅加热器就1.8千瓦，发射功率达15千瓦。以上特点明显看出，APS用了杂质量低，寿命较长的阴极，但改善很有限。而源设备价格昂贵，且运行成本相当高，一般的企业很难用得起。 为了彻底消除热阴极的缺点，无极放电的射频激励的离子束源已逐渐投入使用。它不需要借助灯丝放电，既消除了阴极金属蒸汽对薄膜的主要污染源，也可使用于02等反应气体环境。作为辅助蒸发镀膜的离子源还要求可在较低的气压下稳定运行。射频激励等离子体有4种方式：容性耦合（CCP）、感谢耦合（ICP）、螺旋波（Helicon）和rf ECWR。其中rf ECWR的运行气压能在0.1Pa下获得最佳放电，其离子源适合于辅助蒸发镀膜[4]，参见图2-4。图2-4中的1为等离子室侧壁，用石英管制成；2和3为上下盖板，用无磁不锈钢制成，用紧固螺杆7与石英管夹紧；在上盖板侧面开有进气口8，以及快规测量口；4为单栅引出电极；5为包裹在石英管外面的单匝射频耦合线圈，用纯铜制成，与上下盖板绝缘。6为一对Helmholtz线圈，能产生总是垂直于源轴的静磁场Bo，能够被调节到50G，并且在整个等离子区均匀性保证在±5%以内。我们不难看出，该源的结构比较复杂，价格相当贵，仅有德国莱宝公司在研制。 另一种无极放电的离子源是微波电子回旋共振等离子源（ECR PS）由于应用较强的磁场，可以在更低的气压下获得最佳高效率放电，是辅助蒸发镀膜更佳的选择。 图2-4 rf ECWR等离子源结构简图。 图2-4 rf ECWR等离子源结构简图。 微波ECR （等）离子源原理与特性 等离子体是正离子和电子组成的电中性的流体，是中性原子被电子碰撞变成离子的结果。因此，产生等离子体就是用电场加速电子去碰撞中性原子。加速电子一般用直流、射频和微波电场，因而，产生等离子体的方法也自然地分成为直流（DC）、射频(CCP和ICP）、微波和微波ECR等。前三种可以用磁场，也可以不用磁场；但微波ECR必须用磁场，而且磁场的设计要求比较严格。不用磁场时，仅靠真空室壁限制等离子体，因此，等离子体与室壁相互作用强烈；而使用磁场时，由于电子和离子环绕磁力线运动，所以在垂直于磁场方向受磁场控制，几乎不与室壁发生作用，因而损失大大下