半导体测试和表征技术基础.docVIP

半导体测试与表征技术基础 第一章 概述 （编写人 陆晓东） 第一节 半导体测试与表征技术概述 主要包括：发展历史、现状和在半导体产业中的作用 第二节 半导体测试与表征技术分类及特点 主要包括：按测试与表征技术的物理效应分类、按芯片生产流程分类及测试对象分类（性能、材料、制备、成分）等。 第三节 半导体测试与表征技术的发展趋势 主要包括：结合自动化和计算机技术的发展，重点论述在线测试、结果输出和数据处理功能的变化；简要介绍最新出现的各类新型测试技术。 第二章 半导体工艺质量测试技术 第一节 杂质浓度分布测试技术 （编写人：吕航） 主要介绍探针法，具体包括：PN结结深测量；探针法测量半导体扩散层的薄层电阻（?探针法测试电阻率的基本原理、?四探针法的测试设备、样品制备及测试过程注意事项、四探针测试的应用和实例）；要介绍扩展电阻测试系统，具体包括：扩展电阻测试的基本原理、扩展电阻的测试原理、扩展电阻测试系统、扩展电阻测试的样品、扩展电阻法样品的磨角、扩展电阻法样品的制备、扩展电阻测试的影响因素、扩展电阻法测量过程中应注意的问题、 扩展电阻法测量浅结器件结深和杂质分布时应注意的问题、扩展电阻测试的应用和实例。 第二节 少数载流子寿命测试技术（编写人：钟敏） 主要介绍直流光电导衰退法、高频光电导衰退法，具体包括：?非平衡载流子的产生、非平衡载流子寿命、少数载流子寿命测试的基本原理和技术、少数载流子寿命的测试。以及其它少子寿命测试方法，如表面光电压法、少子脉冲漂移法。 第三节 表面电场和空间电荷区测量（编写人：吕航） 主要包括：表面电场和空间电荷区的测量，金属探针法测量PN结表面电场的分布、激光探针法测试空间电荷区的宽度；容压法测量体内空间电荷区展宽。 第四节 杂质补偿度的测量（编写人：钟敏） 包括：霍尔效应的基本理论、范德堡测试技术、霍尔效应的测试系统、霍尔效应测试仪的结构、霍尔效应仪的灵敏度、霍尔效应的样品和测试、霍尔效应测试的样品结构、 霍尔效应测试的测准条件、霍尔效应测试步骤、霍尔效应测试的应用和实例、硅的杂质补偿度测量、znO的载流子浓度、迁移率和补偿度测量、硅超浅结中载流子浓度的深度分布测量 第五节 氧化物、界面陷阱电荷及氧化物完整性测量（编写人：钟敏） 包括：固定氧化物陷阱和可动电荷、界面陷阱电荷、氧化物完整性测试技术等。 第七节 其它工艺参数测试技术介绍（编写人：吕航） 包括：深能级瞬态谱测试的基本原理、陷阱中心的基本电学性质、陷阱对自由载流子的俘获和发射、陷阱中心引起的电容瞬态变化、深能级瞬态谱测试技术、深能级瞬态谱测试信号的分析、俘获截面和能级位置的测量、陷阱深度分布的测量、电场效应和德拜效应的测量、扩展缺陷的DLTS谱特征、深能级瞬态谱测试系统及品质因子、深能级瞬态谱测试样品 红外光谱测试原理、红外光谱测试的基本分类、傅里叶变换红外光谱测试的基本原理、傅里叶变换红外光谱测试的特点、傅里叶变换红外光谱的测试系统、红外光谱测试的样品和影响因素、测试样品制备、测试影响因素、傅里叶红外光谱的应用和实例、 硅晶体中杂质和缺陷的测量、砷化镓中杂质和缺陷的测量、锗中杂质的测量、氮化镓中杂质的测量。 第三章 半导体器件性能参数测试技术（编写人 王秋实） 第一节 测量金属-半导体接触电阻率的测试技术 具体包括：接触电阻的定义，接触电阻的测试技术、串联电阻等；常规半导体器件接触电阻测试技术，包括pn结二极管、肖特基势垒二极管、太阳能电池、双极结型晶体管等 第二节 小功率半导体器件性能参数测试 主要介绍半导体图示仪测试二极管、三极管、MOS管性能参数测试的基本原理，注意事项等 第三节 大功率半导体器件性能参数测试 主要介绍大功率二极管、三极管、晶闸管、IGBT等器件性能参数基本原理，注意事项等。 第四节 光电器件性能参数测试技术 包括太阳电池、光电二极管、光电探测器等的量子效率及I-V特性曲线测试 第五节 半导体器件热特性的测试 包括晶体管稳态热阻的测量、晶体管瞬态热阻的测量、晶闸管瞬态热阻测试、热分布测试。 第四章 半导体器件可靠性及失效分析测试技术 第一节 半导体器件性能的可靠性控制（编写人 仇方圆） 包括：什么是可靠性、可靠性与质量之间的关系、可靠性与质量控制之间的关系、可靠性指标、可靠性特征量的分布、置信度和抽样定理、器件研制和生产中的可靠性控制。 第二节 常规半导体器件性能退化机制（编写人 仇方圆） MOS器件退化机制、太阳电池器件退化机理、静电放电损伤、电极系统退化失效机理等。 第三节 半导体器件可靠性筛选技术 （编写人 仇方圆） 包括：日查、电筛选、环境筛选（温度循环、热冲击、机械冲击、匀加速、变频振动、湿度筛选、红外筛选）等；环境模拟