Cu2ZnSnS4薄膜及其太阳电池的研究进展 Research Progresses on Cu2ZnSnS4 Film and Related Solar Cells.pdfVIP

SEM ICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vo1．32No．6 Cu2ZnSnS4薄膜及其太阳电池的研究进展 江 丰，沈鸿烈 (南京航空航天大学 材料科学与技术学院，南京 210016) 摘 要：CuZnSnS(czTs)薄膜材料成本低廉且无毒，其电学性能主要 由自身所含的缺陷 决定，一般呈P型导电性。CZTS的禁带宽度为 1．5eV左右，在可见光范围内的光学吸收系数一 般都大于 10 cm_。，所以其非常适合作为太阳电池的吸收层 。经过 国内外学者 10余年的努力， CZTS太阳电池光电转换效率提升明显。相信不久的将来，CZTS薄膜 电池必将得到广泛的应用。 主要介绍了CZTS材料的制备方法、CZTS材料性能和CZTS太阳电池的研究进展。 关键词 ： CZTS；制备方法 ；太阳电池 ；研究进展 ． 中图分类号 ：TB332 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—5868(2011)06—0756一O6 Research