GeSi量子阱结构的C-V特性的模拟 A Simulation of the Capacitance-Voltage Characteristics of a GeSi Quantum-Well Structure.pdfVIP

第29卷第1期 半导体学报 V01．29No．1 JOURNAL 2008年1月 OFSEMICONDUCTORS Ge／Si量子阱结构的C-V特性的模拟 程佩红 黄仕华+ (浙江师范大学物理系，金华321004) 摘要：采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge／Si量子阱中的子能级分布，并基于迭代法数值求解?自松 方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-y特性．C-y曲线上电容平台的存在是量子阱结构 C-y特性的显著特征，它与量子阱结构参数有密切的关系．随着覆盖层厚度的减小，C-y曲线上平台起始点的电容值增加， 并且向低电压方向移动直至其消失．随着量子阱中的掺杂浓度提高，阱中的载流子浓度也会相应增加，那就需要更高的外 加电压才能耗尽阱中的载流子，因此平台宽度也就随着掺杂浓度的增加而增加．当覆盖层厚度增加时，由于电压的分压作 用，使得降在