LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法 Failure Mechanism and Protection of LDMOS Device Under ESD Stress.pdfVIP

技术专栏 Technolo留Column doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2009．10．009 LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法 陈蕾，宋李梅，刘梦新，杜寰 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘要：探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理，阐述了LDMOS器件受 到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象，和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温 度过高，导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、不同LOCOS长度和 器件在静电放电防护方面的显著优势。 关键词：横向双扩散场效应晶体管；静电放电防护；深漏极注入；击穿现象 中图分类号：TN386．1文献标识码：A FailureMechanismandProtectionofLDMoSDeviceUnderESDStress Chen Limei，“u Huan Lei，Song Mengxi