Ta2O5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究 Study of Preparation and Electrical Characteristics of Ta2O5 High-k Dielectric Thin Film.pdfVIP

材料与器件 MaterialssadDevices 1．06．003 DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．201 Ta205高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究 陈勇跃，程佩红，黄仕华 (浙江师范大学物理系，浙江金华321004) 摘要：用射频磁控溅射法制备了Ta：O，高介电薄膜，并对其进行了退火处理。用c—y， 应。认为串联电阻、Si／Ta：O，界面的界面态密度、边缘俘获是频散效应的主要原因，提取了界面 态密度和边缘俘获电荷的大小。同时也研究了不同的退火温度对这些参数以及漏电流的影响，经 600℃退火后，样品的电容最大，俘获电荷密度和漏电流最小，器件的电学性能最佳。 关键词：Ta20，薄膜；射频磁控溅射；C·V特性；退火；高介电常数