MIC薄膜多晶硅材料的动态镍吸除技术基本机理及其应用 Basis Mechanism of MIC Poly-Si Thin Film Material Dynamic Gettered Technology and Its Applications.pdfVIP

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  • 2017-08-10 发布于上海
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MIC薄膜多晶硅材料的动态镍吸除技术基本机理及其应用 Basis Mechanism of MIC Poly-Si Thin Film Material Dynamic Gettered Technology and Its Applications.pdf

V01.28 第28卷第10期 半导体学报 No.10 2007年10月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Oct..2007 MIC薄膜多晶硅材料的动态镍吸除技术 基本机理及其应用。 李 阳h+ 孟志国1 吴春亚1王文2郭海成2张芳3 熊绍珍1 (1南开大学光电于所.天律市光电子薄膜器件与技术重点宴验室,天津300071) (2香港科技大学电机与电子工程系.香港) (3科技部高技术研究发展中心,北京100044) 摘要:首先阐述了MIC薄膜客晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程.然后以多晶硅薄膜晶体管 (poly-SiTFT)为例研究了动态吸杂技术的应用在研究金属诱导晶化多晶硅材辩(MICpoly-Si)和以之为有源层的

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