变频器的热耗计算及散热分析.pdfVIP

EM优化设计 一刘玉芬程洪亮／时代新纪元科技集团有限公司 变频器的热耗计算及散热分析 1引言 电流； 在通用型变频器中，IGBT是主要的发热元 ‰。‘)-指在l=125℃时，峰值电流b 件，解决好IGBT的散热问题，对变频器的可靠 下，IGBT的饱和压降； 性、寿命及经济运行都具有重要意义。 D——PWM信号占空比I COS妒——功率因数} 2IGBT模块的功耗计算 互。妒—袁示‘=125℃时，峰值电流‰下 IGBT在开关状态下，器件所产生的功耗包括 从曲线上可查到的开通能量； 通态损耗尸|毗和开关损耗尸|。，即 臣啪——表示I=125℃时，峰值电流k下 P=尸。+P。。=P。。+tZ 从曲线上可查到的关断能量； 式中E0——开关一次所消耗的能量； 矗wM——指变频器的PWM开关频率； Z——开关频率。 巩——二极管的通态压降。 通态损耗只。．反映了IGBT全导通状态下的损 通过查询相关图表，确定所需的参数后，即 耗。当开关频率较低时，通态损耗占总损耗的主 可计算出所需的IGBT模块的总功耗。下面以 要部分，随着开关频率的升高，P。。在总损耗中所 占的比例迅速上升。当开关频率较高时，IGBT需入上述公式，参数和结果如表1，表2所示。 降额使用，以免其温升过高，导致 表1参数表 器件损坏。IGBT模块的功耗包括至歪]j至二互=夏]二二亘互二互丕￡至i亘jj耍亟匠 IGBT桥臂的功耗以及反并联续流堕!!!!!! !：!!： ! !! !! ! !：竺 二极管的通态损耗，涉及到的公式如下： 表2功耗表 (单位；w) 1)IGBT的通态损耗：P。=kucE(uo(118+ 叁鍪 盘 生 生 生 生 61．1 143 20 163 值81．9 D／3丌COS咖)。 取单个Ia时模嵬埘粑身耗为姗w，此系统共包 2)IGBT的开关损耗：P。。=1／丌(E湎1+ 簟。价)×工，wM。 含有6个硒BT模块，即系统每；捧巨为1200W，下面 利用热分析软件R，I瑚n对系统进行建模手Ⅱ仿真分析。 3)IGBT的总功耗为：PT=p。+P。。 4)反并联续流二极管的通态损耗为：P。 2lcP啡(1／8)一D／3丌COS咖)。 3变频器系统建模 3．1环境设定