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变频节能技术 变频器中IGBT的工作状态与驱动信号的关系 祖芳，宋书中，李济顺，黄晓东 [摘要] 大小并提出解决模块电流上不去的办法。 关键词 变频器IGBT工作特性驱动电路驱动功率 0引言 电流的时间减少，对其安全不利。 (5)在关断过程中，为尽快抽取管中的存储电荷， 在对变频器进行检测调试时发现，0．75-2。2kW变频 器的驱动信号的正负压范围分别为：+y。=12-13．5V， (发射极)间最大反向耐压的限制。 一y。=9．5-12V，而此变频器常见的故障就是出现过热现 (6)IGBT驱动电路中的驱动电阻尺。对工作性能有较 象(跳OH)。使用西门康的SKHl23／12(R)驱动板，在驱动大的影响，R。较大，有利于抑制IGBT的电流上升率及电 300A、400A两单元模块并联使用时，出现过多次电流 压上升率，但会增加IGBT的开关时间和开关损耗；R。较 上不去问题，即如果使负载电流逐渐增加时就会出现过 小，会引起电流上升率增大，使IGBT误导通或损坏。 电流保护(跳OC)。而实际上并未过流，是误保护。 IGBT的主要特性与驱动条件的关系总结如表1。 过热和模块电流上不去现象出现在已经批量生产的 表1IGBT的驱动条件与主要特性 变频器上。尽管模块和驱动板的厂家已经给出建议的设 计方案，但在实际应用中还是出现此类问题。 1 IGBT的工作特性 由于IGBT集MOSFET(金属氧化物半导体场效应 管)和GTR(功率晶体管)的优点于一体，IGBT在结构和 导电机理等方面与MOSFET紧密相连，其静特性也与 2问题分析和解决办法 MOSFET很相似，诸如电流转移特性、栅荷特性、安全 工作区和正向导通特性等。为了充分发挥IGBT的优点， 设计驱动电路时应满足以下要求： (1)IGBT和MOSFET一样，都是电压驱动器件，具 几时的y。和L关系。由图1可知，栅极电压较小时， 有一个2．5-5．0V的阀值电压，它的导通与关断是由栅 y。的压降显著增大，也就是进入放大状态，这样损耗增 极电压矿。来控制的，当y，大于开启电压矿。(th)时IG— 加，产生更多的热量，可能导致热破坏。综合考虑IGBT BT导通，当栅极施加反向或不加信号时，IGBT被关 短路承受能力、浪涌电压和损耗的关系，重新做了驱动 断。 板的电源，把栅极电压范围控制在+y。=15～17V， (2)IGBT的各个端子间存在寄生电容，容性的输入 一矿鼯_6～8v。在实际应用过程中，至今无OH故障产生。 阻抗，对栅极电荷聚集很敏感，在开通和关断时会对输 AusgangskennlinienfeldWechsdr．(typisch)J玎(yⅡ) characteristic 入电容充放电。故驱动电路必须很可靠，要保证有一条 Output Inverter(typisch)Tvr=120C