表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理 Influence and Mechanism of Surface Treatment on Ohmic Contacts to AlGaN Surface.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理 Influence and Mechanism of Surface Treatment on Ohmic Contacts to AlGaN Surface.pdf

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SEMICoNDUCTOR oPT0ELECTRoNICS VoJ．32No．5 oct．2011 表面处理对AIGaN欧姆接触的影响及机理王磊，王嘉星，汪莱，郝智彪，罗毅 (清华大学电子工程系，清华信息科学与技术国家实验室(筹)．北京 100084) 摘要：研究了溶液表面处理对A1GaN欧姆接触的影响及机理。用氟硝酸(HNO。+HF)、稀盐酸(HC1)和硫代乙酰胺(CS3CSNHz)溶液处理AlGaN表面后，Ti／Al／Ti／Au电极的比接触电阻率有显著的降低。样品表面Ga3d与O1s的X射线光电子能谱 (XPS)测试结果显示：氧元素含量明显降低，表明这三种溶液可以有效地去除A1GaN表面氧化层，其中CS3CSNH2效果最佳； Ga3d峰位在表面处理后发生蓝移现象，相当于A1GaN表面处的费米能级向导带一侧移动，使电子在隧穿过程中的有效势垒高度降低。以上两个因素均对优化A1GaN／GaN欧姆接触有十分重要的意义。关键词： A1GaN／GaN异质结；表面处理；欧姆接触；XPS能谱中图分类号：TN305．2 文献标识码：A 文章编号：1001—5868(2011)05--0650—03 InfluenceandMechanism ofSurfaceTreatmentonOhmicContactstoAIGaN Surface WANG Lei，W ANGJiaxing，WANG Lai，HAO Zhibiao，LUO Yi (TsinghuaNationalLaboratoryonInformationScienceandTechnology，DepartmentofElectronicEngineering， TsinghuaUniversity，Beijing100084，CHN) Abstract： Ttheinfluenceofsurfacetreatmenton theohmiccontactsto AlGaN／GaN heterostructure is investigated by using different solutions． The specific contact resistivity dramaticallydecreasesafterthetreatments．Toinvestigatethemechanism ofthisimprovementon ohmiccontacts，the chemicalproperties ofthe AlGaN／GaN surface are characterized by monitoring the Ga 3d and Ols peaks using X—ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurement． The decrease of the oxygen concentration indicates that the solutions can effectivelyremoveoxidesfrom thesamplessurface，especiallyCS3CSNHz．Theblueshiftsofthe Ga3dpeaksdemonstratethatFermilevelpinningeffectatthesurface ismitigated afterthe surfacetreatment，resultinginthedecreaseoftheeffectivebarrierheightforelectron tunneling transport．Both thesetWOfactorscontributetotheformationofhigh—qualityohmiccontactsof Ti／A1／Ti／AuonA1GaN／GaN surface． Keywords： A1GaN／GaNheterostructure；surfacetreatment；ohmiccontacts；XPSspectra 0 引言