新型功率器件SON2LDMOS 的设计和研究 - 电子器件.PDF

第 32 卷 　第 2 期 电 子 器 件 Vol . 32 　N o . 2 2009 年 4 月 　　　 Chinese J our nal Of Elect r on Devices 　　 Ap r . 2009 Design and Research of a Novel High Voltage Power Device :SONLDMOS GA O Z hengx i n , C H E N G X i ul an ( ) S chool of M icroelect ronics , S hang hai J i ao Tong Uni vers ity , S hang hai 200240 , Chi na Abstract :A novel p ower deviceSymmet rical SONL DMO S wa s de signed and p ropo sed . Ba sed on analytical app roach and At ala s Device Simulation , t he effect s of key st r uct ure factor s , such a s drift lengt h and doping p rofile , o n break dow n volt age of t he device were analyzed , t e stif yin g t he p eak break dow n volt age . A nd co mp aring wit h conventio nal SO IL DMO S an d p at t er ned SO IL DMO S , it wa s found SONL DMO S ha s bet t er charact eri stic s in break dow nvolt age , leakage current and p ara sitic cap acit ance . Break dow n volt age of SON L DMO S i s 3 time s lar ger t han of SO I L DMO S , and p ara sitic cap acit ance in SON L DMO S i s al so smaller . All t ho se p rovide p art support for it s cap abilit y in power app lication . Key words :SO I ; SON ;L DMO S ;break dow n volt age EEACC :1210 ;2570D 新型功率器件 SO NLDMOS 的设计和研究 高正鑫 ,程秀兰 (上海交通大学微电子学院 ,上海 200240) 摘 　要 :本文提出了一种新型的对称式 SON L DMO S 功率器件 。在对器件击穿电压进行解析分析的基础上 ,利用 Silvaco TCAD 仿真软件 At al s 验证了漂移区设计对器件击穿电压的影响 ,证明了峰值击穿电压的存在 。并且对比分析了 SON L D MO S 与 SO I LDMO S 击穿电压和寄生电容方面的优劣 ,研究表明 SON LDMO S 在击穿电压上比 SO I L DMO S 器件提高了近 3 倍 ,并且其寄生电容也较小 ,这为 SON LDMO S 在功率方面的应用提供了部分理论支持 。 关键词 :SO I