并联电容对DE类功率放大器的影响 Effect of Shunt Capacitance on Class DE Power Amplifier.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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并联电容对DE类功率放大器的影响 Effect of Shunt Capacitance on Class DE Power Amplifier.pdf

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电路与组件 CircuitsandModules DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．04．013 并联电容对DE类功率放大器的影响刘昌，李康，孔凡敏 (山东大学信息科学与工程学院，济南250100) 摘要：DE类功率放大器既综合了D类和E类功率放大器的优点，继承了开关型功率放大器高效率的特征，叉同时避免了D类和E类功率放大器的缺陷，使其成为了人们关注和研究的热点。随着工作频率的升高，MOSFET寄生电容在DE类功率放大器并联电容的计算中无法忽略。经过理论分析得到了MOSFET寄生电容的等效电容表达式，通过使用等效电容表达式，可以获得包含MOSFET寄生电容影响的并联电容的取值，提高了DE类功率放大器设计精度，保证了 DE类功率放大器在高频时的高效率。通过SPICE模型仿真和电路实验验证了分析的有效性。关键词：DE类功率放大器；高频率；高效率；并联电容；MOSFET寄生电容中图分类号：TN722．75文献标识码：A EffectofShunt onClassDEPower Capacitance Amplifier Liu Fanmin Chang，LiKang，Kong Scienceand (Schooltnformation 250100，China) of Engineering，ShandongUniversity，Jinan DE wasoneof switch-mode Abstract：Class poweramplifier high—efficiency poweramplifiers， which ofclassDandclassE avoided ofclassD combined amplifier，andshortcomings advantages power andclassE the poweramplifier．Withoperatingfrequencyincreasing，MOSFETparasiticcapacitance of couldnotbe inthecalculationshunt theoretical ignored capacitance．Byanalyzing，anequivalent ofMOSFET was the capacitance capacitancesgiven．Byusingequivalentcapacitance，design parasitic ofclassDE was ofcl