玻璃上热壁真空沉积生长CdTe薄膜的结构及光学特性 Structural and Optical Properties of CdTe Thin Films on Glass Grown by Hot Wall Vacuum Deposition.pdfVIP

第27卷第7期 半导体学报 V01．27No．7 2006年7月 CHINESEJoURNALoFSEMICONDUCTORS Julv。2006 玻璃上热壁真空沉积生长CdTe薄膜 的结构及光学特性* 姚朝辉1’2．t陈庭金2 夏朝凤2 袁海荣2 刘祖明2 廖 华2 王 帆2 (1中国农业大学水利与土木工程学院，北京100083) (2云南牺范大学太强麓研究爨，瑟骥650092) 摘要：采用热壁真空沉积的方法，在清洁的玻璃衬底上生长了不同膜厚的CdTe薄膜，对其结构和薄膜的本征吸收 光学特性进行了测量分析研究．XRI)测试显示薄膜为多晶，具有标准的立方结构，沿(111)方向有明显的择优取 向．晶掇常数的计算傻为O。649nm，与标准值符合褥较好．曩cafy5000型双光求分光光度计测试了薄膜的发射谱 纛透麓落，显示在本鬣吸收嚣透过率麓着貘】萃鹣增魏程波长戆藏小瑟藏，j、，辩溅盈鹣反射谱秘透射谱采麓较严捂 的数学处理，计算得到了描述薄膜宏观光学特性的麓要物理量，即薄膜的吸收系数、消光系数、折射率等．用(矗m)2 带隙结构，且在本征吸收的可见光区密高的吸收系数． 关键词：热壁真空沉积；CdTe薄膜；结构特性；光学特性 EEACC：2520D 中图分类号：TN304．2+2文献标识码：A 文章编母：0253—4177(2006107．1236一05 性遴行了测试和分析研究． 1 引言 2 实验 单晶C《下e是一种巍接带隙半导体材料，300K 时禁带宽度为l。44eV，在本征吸收的可见光区为强 2．1 薄膜制备 吸收材料，且易于制成薄膜，与太阳光有好的匹配， 是一种优异的高效率薄膜太阳电池材料．目前实验 删用自行研制并改进的热壁外延系统进行 室C畦S／Cd零e薄膜太圈电池憨效率怨达16．§％。¨。 C琏Te薄簇戆裁备，实验中选蔫纯度为6N的Cd下e 另外，CdTe的晶格常数为0．648nm，与红外材料体材料为块状源．铁锚牌载波片为衬底，尺寸为2cm HgCdTe的理想衬底材料CdznTe比较接近且同×3cm×0．1cm．衬底经清洁剂和丙酮、乙醇超声清 为闪锌矿结构，近年来也多用来制作CdznTe的过洗后，再用冷、热去离子水反复清洗，红外灯烘于后 渡层。由予Cd善e薄膜酶优异整麓，憋受蘩越来越多 备麓．将cdTe源程衬底片豢予特裁的石英外延舟 的重视．目前CdTe薄膜的制备方法主要有内，一端放cdTe源，另一端放置衬底，距源约为 MBE[2I、真空蒸发[3“]、避距离升华[5]及电化学沉16cm．再将外延舟放人已加热的石英管外延炉中进 积[6’71等。其中，近距离升华技术具有低的设备及生 行真空沉积生长．艨有的样融均在同一条件下制备， 产成本，源的秘用率较高及易于铡螯大面积薄膜等 衬疯瀣度约为350℃，源温约为6e0℃，该条件下薄 优点而受到越来越多的麓视． 膜具有较快的生长速率，沉积时间为10～25min，系 薄膜光学性质是薄膜性能的越要表征之一． 统的真空度高于7．O×10‘4Pa． CdTe薄膜的光学特性鲶详缨磅究掇道不多，特别 2．2 cdTe薄膜的测试 是与cdTe光伏特性有关的本征吸收特性，鄹在可 见光区的吸收系数、消光系数、折射率等报道更少． 选用简易的密度法测定薄膜的厚度，即用分度 本文系用简易的低成本的热壁外延方法在玻璃衬底 值为O．Olmg的精密天平测出膜重，取其比重为标 上裁备cd零e薄膜，并对冀结秘释本征吸收光学特 *国家自然科学撼金(批准号：5036