部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置 The Worst Case Bias for the Total Dose Irradiation of PD SOI NMOSFET.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置 The Worst Case Bias for the Total Dose Irradiation of PD SOI NMOSFET.pdf

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器件制造与应同 TotalDose rn他WorstCaseBiasforthe IrradiationofPDSOINMoSn疆 Bu Jianhui，Liu Aibin，Han Mengxin，Hu Zhengsheng (InstituteofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences，Bering100029，China) ISE．PDSOI was withdifferentbias to Abstract：Byusing NMOSFETirradiated configurationsexploll bias iStheworst—casebias．The indicatethattheWOrstc蛾biasforthe whichconfiguration simulationresults frontchannelistheONbias thatforthebackchanneliSrelatedtothetotaldose．Ifthetotal configuration．and doseis worstea．sebiasistheOFFbias theworstcasebiasistheTGbias higher，the configuration，or whenthetotaldoseiSlower．11leworstcss,ebiasfortheNMOSFETonwhetherthefront configuration depends buriedoxide worstcase is oxideorthe dominatesthe mechanismtodecidethe bias gate response．卟e proposed distributionof fieldforthatthe ofelectron—holeduetoradiationis by the theelectric generation pairs analyzing anelectric ’ field-dependentprocess． case words：SOI；total-doseeffect；worstbias；PD；irradiation Key CLCnumber：TN386Documentcode：AArticle EEACC：2560；0290 N 部分耗尽SOIMOSFET总剂量辐照的最坏偏置卜建辉，刘梦新，胡爱斌，韩郑生 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘要：通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PDSOINMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究。模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置，背沟道的最坏偏置与总剂量有关。当总剂量大时，