掺Al富SiSiO2薄膜制备及紫外发光特性研究 Preparation of Al-Doped Si-RichSiO2 Thin Film and Its Ultraviolet Photoluminescence Characteristics.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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掺Al富SiSiO2薄膜制备及紫外发光特性研究 Preparation of Al-Doped Si-RichSiO2 Thin Film and Its Ultraviolet Photoluminescence Characteristics.pdf

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技术专栏 TecllnOl0留Colu功_11 掺AI富Si／Si02薄膜制备及紫外发光特性研究王国立，郭亨群 (华侨大学信息科学与工程学院，福建泉州362021) 摘要：采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si／Sio’复合薄膜，以不同退火温度对样品进有AlO。成分。室温下，可以观察到位于3．24—3．42ev的较强紫外光致发光，其发光强度随退火温度和A1含量的变化而变化。分析表明该发光带与SiO：中的氧空位缺陷有关，缺陷分布与纳米 Si的形成以及不同Al含量的氧化有关，从而影响薄膜发光强度。关键词：纳米硅／二氧化硅；铝掺杂；紫外光致发光；射频磁控溅射中图分类号：TN305．3文献标识码：A of ThinFilmandIts Si-磷cll／Si02 PreparationAl-Doped UltravioletPhotoluminescenceCharacteristics Guoli，Guo Wang Hengqun (coz妇℃旷坳rrM砌n＆据n钟＆‰危M蛔，胁∞叼此m‰眈糟渺，Qm砌帆362021，饥ino) Abstract：7rhefilmof was RF composite Al-dopedSi—rich／Si02preparedby magnetronsputtering 8J1dannealedatdifferent ne wastested ofXRD，XPS， technology， temperatures．sample byspectmms PLandPLE．ResultsindicatethatthefilmscontajnedSi and ultraViolet FⅡR， nanocrystals A10。； with around3．24～3．42eVareobsenredatroom photoluIIlinescencepeaks energy temperature．Theintensity oftheultravioletv商eswith andA1content．Therevealsthatit is 1ight annealingtemperature analysis attributedto defectsin thedistributionofwhichassociates试ththefomationofSi oxygen Si02， vacancy aJldoxidationof withdifferent thus A1 contents，the of nanocrystals intensity chaJlges． 1i曲t words：