掺Au扩散对快速恢复功率二极管电参数的影响 Influence of Au Diffusion on Fast Recovery Power Diode Electrical Parameters.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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掺Au扩散对快速恢复功率二极管电参数的影响 Influence of Au Diffusion on Fast Recovery Power Diode Electrical Parameters.pdf

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工毯T术cclmi与q地a溉nd留n潲M砷喇ab炉 doi：10．3969／j．issn．1003-353x．2010．06．013 掺Au扩散对快速恢复功率二极管电参数的影响陈艳明 (吉林恩智浦半导体有限公司，吉林132000) 摘要：简述快速恢复功率二极管的几个重要电参数及其工作原理，根据长期制造二极管的实验经验和实验数据分析，掺Au工艺对快速恢复功率二极管反向恢复时间f。和外延二极管正向压降yF以及反向电流，R的影响。实验采用掺Au扩散温度在900℃以上，观察随着扩Au温度升高 f。变小、而，R和h随之增大，通过实验着重讨论了这三个电参数的相互制约关系。同时指出，选择Si片时，衬底电阻率范围不易过宽，避免由于衬底电阻率R。差值较大对Si片与Si片之间的电参数工艺控制指数的影响。关键词：二极管；掺Au扩散；反向恢复时间；正向压降；反向电流；衬底电阻率中图分类号：TN313．4文献标识码：A 文章编号：1003．353X(2010)06—0569—04 InfluenceofAuDiffusion011 Power Fast Recovery DiodeElectricalParameters Chen Yanming NXP (Jilin Semiconductor删．，朋in132000，Ch／na) Abstract：The ofthefast diodeis a FAB described，over majorparameters recoverypower long effectoftheAudiffusion onreverse manufacturingperiod，the process recoverytime(tⅡ)，forwardvoltage reverse Inthe Audiffusion wereover voltage(VF)andcurrent(，R)isanalyzed． experiment temperature Audiffusion the and increased．The 900℃，鹪the increased， temperature trrdecreased，but，RVF interactionbetweenthe andtheireonfliction are is discussed．Meanwhile，it parameters relationships for thatwhen thesilicon siliconsubstrate shouldnotbetOOwide suggested deciding selection，the PS