掺杂对钛酸锶钡陶瓷介电性能的影响 Effects of Doping on Dielectric Properties of Ba1-xSrxTiO3 Ceramics.pdfVIP

46 周芳等：掺杂对钛酸锶钡陶瓷介电性能的影响 绝缘材料 2009，42(3) 掺杂对钛酸锶钡陶瓷介电性能的影响 周 芳，刘冠芳，王俊波，李 晋，曹晓波 (西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安710049) 摘要：综述了国内外近几年来钛酸锶钡陶瓷(BST)掺杂改性技术的发展状况，从3个方面阐述了不同掺杂材 料对BST陶瓷介电性能的影响，论述了掺杂材料的组成、制备及其优缺点。提出了掺杂改性研究中存在的一 些问题，并对未来的研究方向作出了展望。 关键词：钛酸锶钡；掺杂；介电性能 文献标志码：A 中图分类号：TM281．1 文章编号：1009-9239(2009)03—0046一03 Effectsof onDielectric Doping Properties ofBal-xSrCeramics xTiO3 ZHOU Jin，CAOXiao·bo Fang．LIUGuan·fang，WANGJun-bo，LI ElectricalInsulation (State of KeyLaboratory fo，．PowerEquipment， Xi’an JiaotongUniversity．Xi’an710049，China) Abstract：Therecent statusofmodification forbariumstrontiumtitanate development bydoping influencesof materialsonthe (Bal§r。Ti03，BST)wasreviewed．The various dielectric doping ofBSTceramicswerediscussedinthree and of properties aspects．Thecompositionpreparation the materials，themeritsanddemeritswere inthe doping presented．Furthermore，someproblems researchwere outandthe was pointed developmenttendencyprospected． words：bariumstrontium Key titanate(Ba：．zSrxTiOs。BST)；doping；dielectricproperties l前言 2钙硼硅(CBS)掺杂 随着现代科技的发展，人们对高压陶瓷电容器 钙硼硅(CBS)微晶玻璃以正硅酸乙酯、CaCO，和 的要求越来越高。除了要求高的耐压强度外还要有 高介电常数。低损耗，高储能、高稳定性等要求。目 1％～10％(质量分数)的ZnO作为成核剂，以无水 前