采用内置探头结构的1000 kV特快速暂态过电压测量用窗口式传感器设计 Design of a VFTO Port Hole Sensor for 1 000 kV Based on Inner Probe Structure.pdfVIP

高电压技术 第39卷第6期2013年6月30日 1426 Voltage 30，2013 High Engineering，Vol，39，No．6，June 000 采用内置探头结构的1 kV特快速暂态过电压 测量用窗口式传感器设计 孙泽来1’2，马国明1’2，郭攀辉1’2，陈珉1’2，李成榕1’2，陈维江3，丁卫东4，戴敏5，王 磊5 (1．华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室，北京102206； 2．华北电力大学新能源电力系统国家重，占、实验室，北京102206；3．国家电网公司，北京100031； 4．西安交通大学，西安710049；5．中国电力科学研究院，武汉430074) 摘 要：现有的特快速暂态过电压(VFTO)窗口式传感器一般用绝缘膜制作低压臂电容，传感器的制作过程对手 工工艺的依赖性很大，且温湿度的变化对绝缘膜有一定的影响，容易改变传感器的低压臂电容值。为此，研制了一 种低压臂电容外置的新型窗口式传感器，通过使用高性能集中参数电容器代替传统的绝缘薄膜制作的电容，解决 了温湿度变化对测量系统分压比的影响，提高了传感器的制作工艺水平。通过内置探头波阻抗匹配设计，防止了 高频信号在传输过程中的畸变；通过采用电容并联设计及降低引线电感的方法，提高了传感器的测量频带。试验 结果表明，这种新型传感器的低频截止频率10Hz，高频截止频率204MHz，满足特快速暂态过电压测量的频 ooo 带要求。利用该传感器在武汉1 kV特高压交流试验基地对隔离开关操作所引发的特快速暂态过电压进行了 数百次测量，验证了系统的长期测量可靠性。 关键词：窗口式传感器；特快速暂态过电压；可靠性；频带；幅频响应；隔离开关 DOI：10．3969／j．issn．1003—6520．2013．06．020文章编号：1003—6520(2013)06—1426一08 on aⅥ1吣PortHoleSe璐orf；Dr1000kVBasedI衄erPmbeStructl玳 D蚂i印of SUNZelail～，MA Panhuil“，CHENMinl“，LI Guomin91～，GUO Chengron91～， Lei5 CHEN Min5，WANG Weijian93，DINGWeidon94，DAI Area of and (1．BeijingMajorLaboratoryHighVoltageE1ectromagneticCompatibility， NorthChinaElectricPower University，Beiiing102206，China； ofAlternateElect“calPower withRenewableSources， 2． State Energy KeyLaboratory System NorthChinaElectricPower