特性曲线（增强型N沟道MOS管）.PPT

* 3. 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： * 输出电阻： 3. 三种基本放大电路的性能比较 BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： * 5.3 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 * 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 ??? 符号中的箭头方向表示什么？ * 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄 * 2. 工作原理 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? * 2. 工作原理 ③ VGS和VDS同时作用时 当VP VGS0 时， 导电沟道更容易夹断，对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP * 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 * 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 VP 1. 输出特性 输出特性曲线用来描述vGS取一定值时，电流iD和电压vDS间的关系，它反映了漏极电压vDS对iD的影响。即 可变电阻区:栅源电压越负，漏源间的等效电阻越大，输出特性越倾斜。 线性放大区：饱和区，恒流区，FET用作放大电路的工作区。 击穿区：栅源间的PN结发生雪崩击穿，管子不能正常工作。 * ??? JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 VP 在一定的vDS下，vGS对iD的控制特性。 实验表明，在VP≤VGS≤0范围内，即饱和区内，有： vDS=10V * ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 3. 主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 在vDS=常数时，iD的微变量和vGS的微变量之比。 ④ 输出电阻rd： 在vGS=0的情况下，当vDS|VP|时的漏极电流。IDSS是JFET所能输出的最大电流。 反映了vDS对iD的影响。 互导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。 * 3. 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 在漏源之间短路的条件下，栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻就是直流输入电阻RGS。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS 发生雪崩击穿、iD开始急剧上升时的vDS值。 指输入PN结反向电流开始急剧增加时的vGS值。 JFET的耗散功率等于vDS与iD的乘积。PDM受管子最高工作温度的限制。 * 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 * 5.5 各种放大器件电路性能比较 1．各种FET特性比较 2．使用注意事项 见P237表5.5.1。 见教材P236 * 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 * 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 *