100V高压CMOS工艺关键技术的研究 Investigations of Key Technologies for 100V HVCMOS Process.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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100V高压CMOS工艺关键技术的研究 Investigations of Key Technologies for 100V HVCMOS Process.pdf

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第卷第期半导体学报 27 11 VOl. 27 NO. 11 年月 2006 11 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS NOv. 2006 Investi ationsof Ke Technolo iesfor 100V HVCMOSProcessg y g 。 T SOng Limei Li ~ ua Du ~ uan Xia Yang ~ an Zhengsheng and ~ ai ChaOhe InstituteO \icrOelectrOnics ChineseAcadem O Sciences Bei in 100029 China f S f J g Abstract A nOvel dual ate Oxide DGO rOcess is rO Osed tO im rOve the erfOrmance Of hi h vOlta e CMOS g P P P P P g g HVCMOS devices and the cOm atibilit betWeen thick ate Oxide devices and thin ate Oxide devices.An extra P y g g sideWall is added in this DGO rOcess tO rOund Off the ste fOrmed after etchin the thick ate Oxide and Ol sili P P g g P y cOn.The breakdOWn vOlta es Of hi h vOlta e nMOS HVnMOS and hi h vOlta e MOS HV MOS are 168 and g