2004～2005年磁学和磁性材料新进展(Ⅰ)一般磁性、非金属磁性和材料及磁共振 Synthetical review of international progress on magnetism in 2004-2005.pdfVIP

综述 动态 评论 2004~2005 年磁学和磁性材料新进展 一般磁性 非金属磁性和材料及磁共振 李国栋 中国科学院 物理研究所 北京 100080 摘 要 综合介绍2004~2005 年间国内外磁学和磁性材料在基础和应用研究方面的若干新进展 这是从1977 年开始的每年这方面新进展综述的继续 全文分 两部分 第一部分含一般磁性和非金属磁性 微 波磁学 磁光学 磁电子学 磁记录学 各种磁共振 铁磁共振 顺磁共振 核磁共振和Mössbauer 效应 第 二部分含金属磁性 稀土磁学 纳米和非晶磁学 磁性材料和磁效应 磁技术和磁应用 交叉磁学 生物磁学 地球磁学和宇宙磁学 原子核磁学和基本粒子磁学 资料取自这一时期的磁学会议和期刊文献 附录中列出2005 年国内外有关磁学会议的题录 关键词 磁学 微波磁学 磁光学 磁电子学 磁记录学 磁共振 中图分类号 O441.2; TM27 文献标识码 A 文章编号 1001-3830(2006)02-0001-04 示 BaFe Mn O 0 x 6 的矫顽力 H 随 1 一般磁性 非金属磁性 12 x x 19 c Mn 含量的增加而逐渐增高 但饱和磁化强度 Ms 巨磁电阻材料和庞磁电阻材料是当前一类重 却随Mn 的增加而降低 但掺Ru 的BaFe Ru O 8 4 19 要的磁性材料 最近研究了钙钛矿型庞磁电阻材料 [3] 的矫顽力 Hc 却并未增高 超大磁电阻材料的研 FeGa Cr S 亚铁磁半导体的反常磁性 这一材料 x 2 x 4 究和应用是当前磁学和磁性材料的一个重要内容 是用高纯度原料在抽空石英管中制成的 用 最近利用有限元方法详细研究了几何尺寸和材料 Mössbauer 谱 X 射线衍射 磁性和磁电阻的测量 参数对磁电阻的影响 并研究了电压和电流的电极 进行了研究 实验研究表明 在x=0.1 和x=0.3 时 位置对磁电阻的影响 研究结果表明 采用不对称 Fe 离子从四面体位 A 位 迁移到八面体位 B 的电压电极可以获得较高的磁电阻值 而半导体层 [1] 位 轨道角的贡献起着重要的作用 最近研究 和金属层的厚度对复合结构的磁电阻也有显著的 了一种新的磁性半导体 取得了好的实验结果 这 [4] 影响 最近利用扫描光电显微镜 X 射线吸收谱 是在水冷衬底下 利用磁控溅射方法制备了 术和光发射谱术研究了Ge1 x Tx T=Cr Fe 稀释 ZnO(0.5nm)/Co(0.6nm)纳米多层膜 样品截面的高 铁磁半导体 单晶体 的化学分布和电子结构 实 分辨透射电镜图像显示 制备态样品实际上是由非 验结果表明 T 离子主要处于2 价状态 并未形成 常均匀的4~6nm 的晶粒组成的单层膜 不呈现层 纯金属集团 这一研究说明Ge1 xTx 晶体是化学上 状结构 磁性测量表明 样品在室温下为铁磁性 相分离的 这就表示观测到的铁磁有序来自