多晶Si太阳电池表面酸腐蚀制绒的研究.pdfVIP

显徽 jI量 徽细加工 术与 、 技 设备 i —誊 Microscoppee,MMeeaassuurreemmeennttMMicrofabrcation EEquipm ent , 多晶Si太阳电池表面酸腐蚀制绒的研究 肖文明，檀柏梅，刘玉岭，牛新环，边 征 (河北工业大学 微 电子研究所 ，天津 300130) 摘要：研究了采用 HF和 HNO 非择优腐蚀多晶硅表面制备绒面的机理。通过实验分析 了酸混 合液的体积浓度配比、添加剂、温度和时间等 因素对腐蚀速率和腐蚀后表面形貌的影响；总结出 了多晶Si的酸 腐蚀规律 ，得到 了制备 理想绒 面的酸混合 液体 积配 比(V(HF)：V(HNO，)： V(CH，COOH)：1：12：6)。在此基础上提 出了优化设计方案：采用廉价的水代替醋酸作为缓 蚀剂，腐蚀过程置于超声槽 中进行 ，利用超声波的振动使反应生成的气泡快速脱离多晶Si片表 面，同时使腐蚀液浓度分布更加均匀，从而制备 出效果更佳的多晶 Si绒面。 关键词 ：多晶硅太阳电池；酸腐蚀 ；表面形貌；腐蚀速率；多晶硅片制绒 中图分类号：TM914．4；TN305．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1671—4776 (2009)10-0627—05 ResearchonTexturingofM ulti-。crystalline SiliconSolarCellswith AcidEtch XiaoW enming，TanBaimei，Liu Yuling，NiuXinhuan，BianZheng (InstituteofMicroelectronics，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin300130，China) Abstract：Thebasicprinciplesofmulti—crystallineisotropicetchtOgettexturedsurfaceusingthe compoundofhydrofluoricacidandnitricacidwerestudied．TheinfluencefactorsofM c—Sietch rateandtexturedsurfaceconditionswereanalyzedthroughexperiment，suchasmixtureratioof acidcompound，additives，etchingtemperatureand time．SomerulesofMe—Sietchwerefound out，andbettertexturedsurfacewasobtainedwhentheconcentrationratioofhydrofluoricacid， nitricacidandaceticacidis1：12：6． Onthisbasis，anoptimizeddesignschemeforetchingMe— SitOgettexturedsurfacewasintroduced．Mc—Siwasetchedintheuhrasonietankwithwateras inhibitorinsteadofaceticacid，thebubblewasacceleratedtOdesorb from theMc—Sisurfaceby ultrasonicvibrationandthecorrosiveliquidconcentrationwasmadewell—distributed。thusabet— terM c—Sitexturedsu