针对金属闸极TiN 堆叠不同厚度之电性探讨Investigation on electrical.PDF

華岡工程學報第29 期 民國101年6月 中國文化大學工學院 Hua Kang Journal of Engineering Chinese Culture University 29 (2012) 173-177 針對金屬閘極TiN 堆疊不同厚度之電性探討 1 2 簡瑋志 ，譚湘瑜 * 1 中國文化大學數位機電研究所 2 中國文化大學電機工程學系 *Email:txy2@faculty.pccu.edu.tw 摘要 當二氧化矽當作閘極氧化層的製程方式，縮小到 2nm以下時，會造成兩個主要問題，一是 漏電流與短通道效應等問題隨之而生，而高介電常數材料能有效的抑制漏電流，並且在相 同的等效氧化層厚度下增加實際介電層的厚度 。二則是高的閘極片電阻值會造成元件的 傳遞延遲，所以使用金屬閘極 (Metal Gate)來取代多晶矽閘極，因金屬閘極可解決閘 極空乏效應、硼離子穿透 (Boron Penetration) 、降低閘極片電阻及提高在高介電質材 料(High-k Materials)上的相容性等問題。本文主要探討金屬閘極TiN堆疊不同厚度下 ， 利用MIS(Metal-insulator-semiconductor)電容結構 沉積HfSiO薄膜，並觀察量測其元件 的電容電壓 (C-V)值及漏電流密度對電壓 (J-V)值，來比較其各個不同條件的差異性。 關鍵詞：高介電係數 、氮化鈦 、矽氧化鉿 、金屬-絕緣體 -半導體 電容 Investigation on electrical properties of TiN metal gate in different thickness 1 2 W. C. Chien and S. Y. Tan * 1Institute of Digital Mechatronic Technology, Chinese Culture University 2Department of Electrical Engineering, Chinese Culture University Abstract TAO When the silicon dioxide as gate oxide process narrows below 2 nm, it will cause two main problems, first, the leakage current and short channel effect will occur. In addition, the highly dielectric constant material can effectively suppress leakage current, and at the same equivalent oxide thickness increase the actual thickness of the dielectric layer. Secondly, the delay of devices transmission will cause a highly gate sheet resistance, it used to replace poly-si gate by