NiFe 纳米管反磁化机制的微磁学模拟与研究.PDF

Electronic technology • 电子技术 NiFe 纳米管反磁化机制的微磁学模拟与研究 文/邓亦然　刘和桩 读写信息过程，能做成磁传感器和基于巨磁阻 程，直到到达平衡状态为止。我们通过由美国 利用微磁学模拟的方法对不 (GMR) 效应的磁随机存储器 (MRAM) ，已成 国家标准技术协会（NIST ）开发的OOMMF 摘 同尺寸的 NiFe 纳米管的反磁化机 为研究的热点。最近几年随着纳米管技术的发 软件求解上述 LLG 方程，而得到反映出铁磁 要 制进行了研究。结果表明，纳米 展，科学工作者先后获得了一些磁性纳米管的 材料内部的磁矩分布和磁畴的反转情况，获得 管表现出的磁滞回线形状和矫顽 力都随直径的改变而改变。同时 制备方法，包括脉冲激光沉积法，离子束刻蚀 纳米管宏观性质和微观磁性参数之间的关系。 对于相同直径的纳米管，随着长 法，模板浸润法，电化学沉积法，化学镀等。 纳米管参数取值：NiFe 的饱和磁化强 度和厚度的变化，矫顽力变化都 然而目前这些工作大多集中在磁性纳米管制备 度 M × 5 × -12 S=8 10 A/m ，交换常数 A=13 10 J/m ， 表现出一定的规律并趋于一渐进 方法的研究，并不能观测到其内部磁矩分布、 磁晶各项异性常数 K1=0 。网格点大小设为 值，对相应的规律进行了解释。 反磁化过程和机制等情况。 在我们所研究的范围内，纳米管 5×5×5nm，阻尼系数 α设为 0.5 。我们采用的 纳米管作为磁记录介质，要求其饱和磁 均表现出相同的反磁化机制，同 模型是一个截面为正方形的纳米管，如图 1 所 时也与纳米线反磁化机制进行了 化强度高、矫顽力高以及磁滞回线具有良好的 示。因为这样可以为网格点划分带来极大的方 对比。 矩形性；从读写信息的角度，要求其具有稳定 便以简化计算，而且采用条形与采用圆柱形产 的剩磁状态和磁化反转场，且具有一致的反转 生的误差不会超过 5% 。 机理，因此必须研究其矫顽力、磁滞回线和反 转过程等磁特性。传统的方法可以使用磁力显 2 结果与讨论 【关键词】纳米管 微磁学 反磁化机制 微镜观察磁畴结构，研究材料的微观磁特性， 然而除了使用磁力显微镜外，没有其他更好 沿着纳米管的轴线方向加外场，可得长 的、可以研究微观磁特性的研究方法。近年来 径比 ( 纳米管长度 L/ 直径 D) 为 10:1，厚度比 近年来，磁性纳米材料由于其许多独特 随着计算机科技的发展，利用微磁学理论来研 ( 厚度 t/ 半径 R) 等于 1:2 时，不同管长的磁滞 的特性，已受到了各国研