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光电半导体(二).PPT
基礎半導體物理載子傳輸現象 電場及濃度梯度影響下之帶電載子的運動 傳輸過程包括: 載子飄移(carrier drift) 載子擴散(carrier diffusion) 產生與復合過程generation and recombination process) 熱離子發射過程(thermionic emission process) 穿隧過程(tunneling process) 衝擊游離(impact ionization) 3.1 載子飄移(drift) 電場ε=0: 平衡狀態下,自由電子(假設在n型半導體中)的移動受熱能的影響 電場作用下之電子運動 ε≠0時,電子整體朝電場反方向運動,此電場所貢獻的速度分量就稱為飄移速度。 飄移速率為何? 電場作用下之電子運動(續) 定義 為電子的遷移率?n(mobility) 同理,對電洞而言: Mobility的討論:與?c有關 ?c 受電子碰撞影響,其機制有二: 晶格散射:溫度越高,晶格熱震動越劇烈,?L越小。 雜質散射:雜質濃度越高, ?I越小 溫度越高,電子速度越快,越不受離子場的影響。 合併二種散射機制: 考慮在dt時間內,發生散射的機率為dt/?c: 3.1.2 Resistivity 電場對能帶圖的影響 由能帶圖的斜率可知電場 飄移電流 半導體的電阻率 電阻率與摻雜濃度關係 導電率與溫度之關係 半導體試片電阻率的量測 3.1.3霍爾效應(Hall Effect) 可測得試片為n型或p型、載子濃度以及遷移率。 霍爾效應(續) 穩定狀態時,磁力與電力應達平衡。 利用霍爾電壓求主要載子濃度 利用霍爾電壓求遷移率 載子擴散 載子會由濃度高處往濃度低處移動。 考慮單位時間單位面積通過 x = 0 平面之淨電子流 擴散電流 用泰勒展開式展開n(-l)與n(l),取前二項: 總電流密度方程式(低電場時) Einstein Relation 考慮一維情況,利用平均分配能量理論: 將此關係式代入擴散係數定義,可得: Einstein 關係式 3.3 產生與復合過程(非平衡狀態) 熱平衡狀態下,np=ni2。 非平衡狀態下, 非平衡狀態包括:照光,加偏壓等。 非平衡狀態會朝向平衡狀態進行,所以電子電洞,會藉由產生(generation)及復合(recombination)過程恢復至平衡狀態的電子電洞濃度。 產生與復合過程(續) 同時發生的兩個過程。平衡狀態下兩者的生成率相同,故np可維持等於ni2;非平衡狀態下兩者的生成率不同,故np不等於ni2 。 產生(generation)過程是產生新的電子電洞對。 復合過程是產生過程的相反,電子電洞對會同時消失。 過多載子注入時,復合率大於產生率,使恢復平衡;反之,產生率大於復合率,使恢復平衡。 過多載子注入(carrier injection) 半導體材料照光或pn接面接順向偏壓時,就會使得電子電洞濃度比平衡態時大,這些多出來的載子稱為過多載子(excess carriers) 產生與復合過程的分類 直接復合(direct recombination):較易發生在直接能帶隙之半導體,例如砷化鎵。 間接復合(in direct recombination):較易發生在間接能帶隙之半導體,例如矽。 表面復合(Surface recombination) 歐傑復合(Auger recombination) 3.3.1直接產生與復合-較易發生在直接能帶之半導體 直接產生:電子吸收熱能或光能,直接由價電帶躍升至導電帶,使得電子電洞對產生。 直接復合:電子直接由導電帶落至價電帶,消滅了電子電洞對。 直接能帶隙與間接能帶隙 直接產生與復合率 復合率R和電子電洞濃度成正比: 考慮穩態, 可得: 3.3.2 間接產生與復合 間接能帶隙之半導體材料電子由價電帶躍遷至導電帶的機率較小,所以主要的產生與復合過程為間接的,即需借助能帶隙中之局部性的能態(好像踏腳石),稱為產生復合中心(recombination centers)或陷阱(trap)。 局部性的能態由雜質或缺陷造成,位置約在能隙的中央。 共有四種過程。 間接產生與復合過程—Shockley-Read-Hall復合理論 電子捕捉:傳導帶中之電子被一原為中性的空陷阱捕獲 電子發射:電子捕獲的逆過程。 電洞捕捉:陷阱中的電子落至價電帶中,好似價電帶的電洞被移至陷阱 電洞發射:電洞捕捉的逆過程。 間接產生與復合率(見附錄I) 電子捕捉速率 Ra與電子濃度陷阱濃度及1-F(E)成正比。 所以設 電子發射速率Rb與陷阱濃度及F(E)成正比。 所以設 間接產生與復合率(續) 均勻
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