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金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜-影像科学与光化学.PDF
24 2 Vo l. 24 N o. 2
2006 3 Pho tog raphic Science and P hotochem istr y M ar. , 2006
研究论文
夏冬林, 杨 晟, 徐 慢, 赵修建
( , 430070)
: 以氢气稀释的硅烷( SiH 4) 和硼烷( B2 H6) 为气源, 利用等离子体增强化
学气相沉积法( PECV D) 制备出p 型a- Si 薄 . 采用铝诱导晶化技术对不同厚度
的铝 对a- Si 薄 晶化的影响进行了研究. 实验中发现, 铝 溅射为 10 s 的非
晶硅薄 样品在450 e 下退火10 min 后, p 型a- Si 结构仍为非晶态, 铝 溅射
为20 s 的非晶硅薄 在450 e 下退火20 min 后, p 型a- Si 薄 开始晶化为poly-
Si 薄 , 并且铝 厚度越厚, 则a- Si 薄 晶化程度越强.
: 金属铝诱导晶化 快速退火 a- Si 薄 poly- Si 薄
: 1000- 32 31- ( 200 6) 02- 0087- 0 6 : T N 304 : A
( poly- Si) ,
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( AM L CD) . poly- Si
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a- Si , ( Solid P hase Crystallization,
SPC) a- Si poly- Si . ,
, ,
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. ( Excimer laser annealing, ELA )
poly- Si , , ,
poly- Si .
, SPC , ,
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( M IC) .
, , Si
, a- Si SP C . a- Si A lN iPd
: 2005-09- 16 : 2005- 12-05.
: ( SY SJJ2005- 12) .
: ( 1964-) , , , , , , T el: 027-
E- mail: donglinx ia@ mail. w hut. edu. cn .
87
88 24
, . ( A luminum
induced crystallization, A IC) .
, a- Si poly- Si .
a- Si ,
. XRD RA MAN SEM
, .
1
RF- PECVD p a- Si ,
, SiH / H 1/ 10, 0. 1 % , 150 Pa,
4 2
250 e , 50 W , 20 min , a- Si 1. 5 Lm .
a- Si , ,
a-Si , 50 W , 50 e , A r
3
30 cm / min, 0. 5 Pa. a- Si
, 10 s20 s30 s . a-
Si/ Al , 450
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