第六篇快速热处理.pptVIP

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2017-08-04 发布于北京
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第六篇快速热处理.ppt

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1 Microelectronic Fabrication MEMS Technology * 第 6 章快速热处理快速热处理最初的开发是用于离子注入后的退火，现在已扩展到氧化、化学汽相淀积、外延、硅化物生长等。集成电路制造工艺的某些工序需要高温，如扩散、氧化、离子注入后的退火、薄膜淀积等。但是高温会使已经进入硅片的杂质发生不希望的再分布，对小尺寸器件的影响特别严重。减小杂质再分布的方法是快速热处理，即在极短的时间内使硅片表面加热到极高的温度，从而在较短的时间（10–3 ~ 102 s）内完成热处理。热退火离子注入标准的炉管工艺无法缩短热处理时间。因为在炉管中硅片是从边缘向中心加热的，为避免过大的温度梯度而造成硅片翘曲变形，必须缓慢地升温和降温。　　快速热处理系统通常都是单片式的。快速热处理工艺分为绝热型、热流型和等温型，采用脉冲激光、连续激光、脉冲电子束与离子束、红外光、宽带非相干光源（如卤钨灯和高频加热）等对硅片表面进行加热，能在瞬时内加热到极高的温度。现在几乎所有的商用快速热处理系统都采用等温型设计。 6.1 快速热处理系统 RTP System RTP Temperature Change Temperature of RTP Furnace 在等温型快速热处理系统中，硅片放在反应腔内的石英支架上，用一组高强度光源来加热硅片。高强度光源采用卤钨灯或惰性气体长弧放电灯等。一个快速热处理系统常常需要 15 到 30 支卤钨灯。 6.2 高强度光源和反应腔设计卤钨灯由密封的石英灯管和灯管中的螺旋形钨灯丝组成，灯管内充有 PNBr2 等卤化气体。钨从加热的灯丝中挥发出来，淀积到石英管壁上。当石英管壁加热时，卤化气体与管壁上的钨发生反应生成可挥发的卤化钨，卤化钨扩散到比管壁热得多的灯丝上发生分解，再重新把钨淀积到灯丝上。这种反馈机制避免了钨在管壁上的过度淀积。 RTP Chamber Schematic of RTP Chamber Microelectronic Fabrication MEMS Technology * * * * *