p-通道空乏型MOSFET.PPT

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 空乏型 MOSFET 在空乏模式之操作 當VGS = 0V, ID = IDSS 當 VGS 0V, ID IDSS 使用於繪出轉移曲線圖的公式仍然應用下式: 空乏模式 此特性相同於 JFET。 * 空乏型 MOSFET 增強模式之操作 VGS 0V ID 增加超過 IDSS 使用於繪出轉移曲線圖形仍然應用下式: 增強模式 注意該 VGS 此時為正極性。 * * p-通道空乏型MOSFET * Maximum Ratings 請參閱書本更多資料 電氣特性 規格表 * 增強型 MOSFET 結構 汲極 (D) 與 源極 (S) 連接到 n-摻雜區。 這些n-摻雜區是經由 n-通道連接的。 閘極 (G) 是經由薄的 SiO2 絕緣層連接到摻雜 p的基質。 沒有通道 摻雜的 n材料位於摻雜的 p基質上，因此會有一增加的連接端腳而稱為 基質 (SS)。 * 增強型 MOSFET之基本操作 VGS 為永遠正的 當 VGS 增加, ID 增加 當 VGS 為持定值而 VDS 增加時, 那麼 ID 飽和 (IDSS) 且到達飽和準位 VDSsat 。 增強型 MOSFET 只在增強模式下操作 * 增強型 MOSFET 轉移曲線 給予 VGS 而求得 ID : 其中: VT = 臨限電壓或是在 MOSFET 剛導通時的電壓。 k = 特性表上所找出的常數 k 也可使用在特定點上之值與下列公式來決定: VDSsat 可以下式來計算: * p-通道增強型 MOSFETs p-通道增強型 MOSFET 除了電壓極性與電流方向是相反之外，皆相同於 n-通道。 * 增強型MOSFET符號 * Maximum Ratings 電氣特性 請參閱書本更多資料 規格表 * 優點 益於邏輯電路設計 高的輸入阻抗 快的切換速率 低的操作功率準位 CMOS 裝置 CMOS (互補MOSFET) 使用 p-通道 與 n-通道 MOSFET 在同一基質上。 * 摘要表 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第六章場效電晶體 * FETs 〈場效電晶體〉 是非常相似於 BJTs (双極性接面電晶體)。 相似性: ? 放大器 ? 切換裝置 ? 組抗匹配電路 相異性: ? FETs 是電壓控制的裝置而 BJTs 是電流控制的裝置。 ? FETs 也有更高的輸入阻抗，但是 BJTs 有較高的增益。 ? FETs 對溫度變化有較小的靈敏性，而且由於其結構而更容易集積在 ICs上。 ? FETs 通常比BJTs有較大的靜電敏感。 場效電晶體 * JFET–– 接面場效電晶體 MOSFET –– 金屬氧化物半導體場效電晶體 D-MOSFET –– 空乏型 MOSFET E-MOSFET –– 增強型 MOSFET FET 型式 * JFET 構造 JFETs 有兩種型式 n-通道 p-通道 n-通道 較為廣泛地使用。 有三個端點。 汲極 (D) 與 源極 (S) 是連接到 n-通道 閘極 (G) 為連接到 p-型材料 * JFET之基本操作 JFET 操作可以比喻為水龍頭。 水壓的來源就是在汲-源極的外加電壓提供電子之加速。 水流相當於電子 流(或是電洞流)。 水流的控制水閘相當於閘極電壓用來控制n-通道的寬度，進而控制源極流至汲極的電荷。 * . JFET 操作特性 JFET的三種基本操作情況: VGS = 0, VDS 增加一些正值 VGS 0, VDS增加更正值 電壓控制的電阻器 * JFET 操作特性 VGS = 0, VDS 增加一些正值 介於 p-閘極與 n-通道 之間的空乏區增加 ， 此是來自n-通道的電子與來自p-閘極的電洞結合。 增加的空乏區會減少 n-通道之大小，因此增加 n-通道的電阻。 即使 n-通道電阻是增加的， 電流(ID) 自源極而流經 n-通道到汲極也是增加的是因為電壓 VDS 增加。 當 VGS = 0 與 VDS 是自 0 增加到較正的電壓時，有三種情形產生 * 如果VGS = 0 且 VDS 越增加到更正的電壓值，那麼空乏區域加大到使n-通道夾止。 這情形促使n-電流(ID) 會下降至0A, 但是恰好相反，一但 VDS 增加也會使 ID增加 。 JFET 操作特性 VGS = 0, VDS 增加到更正值: 夾止 * 在夾止點: 任何 VGS 的增加並不產生ID的任何增加值，在夾止處的VGS 是標記為 Vp。 ID 在飽和或最大，它指示為 IDSS。 通道的歐姆值是最大。 JFET 操作特性 VGS = 0, VDS 增加到某一正值時: