导电流体在水平磁场中的粘度JournalofSemiconductors.PDF

第 26 卷 　第 9 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 9 2005 年 9 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Sep . ,2005 导电流体在水平磁场中的粘度 张 　雯 　刘彩池 　王海云 (河北工业大学材料学院 , 天津 　300 130) 摘要 : 采用回转振荡法 ,在向导电流体所在空间引入水平可调永磁磁场的条件下 ,测量研究了导电流体 ———液态 ( ) 汞 20 ℃ 的粘度. 结果表明 ,液态汞的粘度随磁场强度的增大而增加 ,二者呈光滑的抛物线关系. 液态汞在磁场中 粘度增加的现象与磁场导致的固态导电物质的磁粘滞效应现象相似 ,可以用磁场对带电运动粒子的作用简单直观 地解释液态汞在磁场中粘度增加的机理. 这些研究成果为研究磁场直拉硅单晶生长提供了理论依据. 关键词 : 液态汞 ; 粘度 ; 回转振荡法 ; 水平磁场 ; 磁场强度 PACC : 5 120 ; 5275F ; 6 125 中图分类号 : O6579 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 对象 ,使用可调的水平永磁磁场[ 8 ] 开展模拟研究工 1 　引言 作 ,得到的结果可以说明一些磁场硅单晶生长的关 键问题. 硅单晶向大直径发展 ,投料量急剧增加 ,导致硅 ( ) 本文测量了液态汞 20 ℃在磁场中粘度的变化 熔体的热对流加剧. 为了抑制硅熔体中的有害热流 情况 ,分析研究了磁场对液态汞的作用机理 ,为磁场 动 ,通常要在熔体中引入磁场 ,磁场直拉硅技术已成 直拉硅单晶生长提供了理论基础. 为制造大直径单晶硅的常用手段[ 1～3 ] . 由于导电熔 体在磁场中运动时会受到洛仑兹力的阻滞作用 ,熔 2 　实验 体的热对流[2 ,3 ] 受到抑制 , 因此 ,研究硅熔体与磁场 的相互作用就显得十分重要. 但 由于硅单晶材料的 2 . 1 　实验装置 熔点高 ,高温时硅熔体化学性质活泼 , 因此 ,对硅熔 ( ) 体的研究必须在高温高真空 或高纯惰性气体环境 使用日本东京株式会社生产的高温低粘度测定 的条件下进行 ,相关的硅熔体物性的测量已经取得 ( ) [4 ,5 ] 对粘度进行测量 ; 磁场采用 装置 回转振荡法 了很多的成果[4～6 ] . 但是 , 如果在硅熔体 中引入磁 永磁材料制作的由内外环磁场构成的能够提供连续 场 ,进行磁场中硅熔体性能的研究 ,实验室实现的难 可调节的水平均匀磁场 的环形磁场 , 磁场强度在 度就非常大. 所以,关于磁场直拉硅单晶生长过程中 0003～0276 T 范围内连续可调 ;使用不导电的悬 硅熔体与磁场相互作用的实验研究还未见报道 ,相 吊式氧化铝坩埚. 具体实验装置见图 1. 应的磁场直拉硅技术中磁场对硅熔体的影响机理也 悬吊式氧化铝坩埚是我们特别设计应用于此种 一直没有得到实验验证. 在此情况下 ,利用性能与硅