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蓝光LED晶粒制程简介
藍光LED晶粒製程簡介
藍光LED晶粒製程簡介
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LED基本發光原理
o LED是取自 Light Emitting Diode 三個字的縮寫 ，這 一種會發 光的半導體組
件，且 具有二極體的電 子特性。
o 半導體材料有一非常有趣的特性 ，就是所謂的載 子（carrier ）載子分成兩類 ，一類
為電子 ，帶負電 (N) ，另一類為電洞，帶正電(P) 。這兩種載子在某些條件下可以結
合而產 生光子，此為發 光的基本原理。
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LED發光材料
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LED產業結構
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藍光LED磊晶片結構
磊晶製程：N型GaN層→ 發光層→ P型GaN層
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藍光LED晶粒製程之定位
o 定義：將磊晶片(Epitaxy wafer)加工成晶粒 (Chip)之流程。
o 依作業流程可分為：
（1）前段製程(Chip on wafer ；厚片) ：黃光、蝕刻、蒸鍍、合金
（2 ）後段製程(Bare chip ；裸晶) ：研磨、切割、點測、分類、PI
晶粒製程
磊晶片 晶粒
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晶粒前段製程
磊晶片
1. Mesa製程 4. Passivation製程
2. TCL製程 3. Pad 製程
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1 、Mesa(平台)製程
目的：Sapphire不導電，故必須利用ICP蝕刻來暴露出n-GaN
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