90nm和65nm工艺下片上网络互连串扰故障模型分析 Analysis of interconnection crosstalk fault model of Network-on-Chip under technique of 90 nm and 65 nm.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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90nm和65nm工艺下片上网络互连串扰故障模型分析 Analysis of interconnection crosstalk fault model of Network-on-Chip under technique of 90 nm and 65 nm

第26卷第3期电子测最与仪器学报砌L26ⅣD．3 · 2012年3月 JoURNAL0FELECrRoNlcMEAsUREMENTANDlNsTRUMENT ·267 DOI：IO．3724，SPJ．1187．2012．00267 90 nm和65 nm工艺下片上网络互连串扰故障模型分析宰姜书艳1 罗刚2 吕小龙1金卫1谢暄1 (1．电子科技大学自动化工程学院，成都61173l；2．成都工业学院，成都611730) 摘要：随着晶体管制造尺寸的越来越小，集成密度的越来越高，耦合电容与电感之间所引起的相邻互连线间的干扰噪声电路串扰型故障的基本原理及串扰耦合模型，阐述了高速互连电路串扰型故障测试的主次因素机理等，并用HsPIcE仿真验证小，线间的高速互连串扰现象愈明显。关键词：№c：串扰；模型：HsPIcE 中图分类号：TN407 文献标识码：A 国家标准学科分类代码：510．1035 of faultmodeIof intercon鹏ctioncrosstalk Network-On-Cllip Analysis of 65哪 under 90衄and technique Luo Lv JinWeil)【ieXu锄1 JiaIlgShuyanlG锄92 Xiaolon91 ofAutomation (1．Sch∞l ofc岫Chengdu61173l，china； Engine舐ng，UniVersi哆ofElec们nicScience卸d毗hnology of IrIstinlte 611730，a血a) 2．Chengdu TecllIlologyChengdu Abstract：Asnlesizeof吐le胁sistoris呦deofsmaUermo他锄dmofe densi够ofinte刚ion，吐le high to interconnecdonliIlesincre撇 interferencenoi∞ofthe capacita】nces柚diIlductallcesbetweentlleadjacentthe coupled in in VLSI．皿ebasic of result h姗咖l mpidly锄dgrcat Iligherspeed跚ddens时ofn蛆otechlIolog)，of test砸nciples of intcrconnectcircuitand crossta墩fault model，such勰in lligh—speed crosstall【couplcd indic删inttlis rel