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90nm和65nm工艺下片上网络互连串扰故障模型分析 Analysis of interconnection crosstalk fault model of Network-on-Chip under technique of 90 nm and 65 nm.pdfVIP

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90nm和65nm工艺下片上网络互连串扰故障模型分析 Analysis of interconnection crosstalk fault model of Network-on-Chip under technique of 90 nm and 65 nm

第26卷第3期 电子测最与仪器学报 砌L26ⅣD.3 · 2012年3月 JoURNAL0FELECrRoNlcMEAsUREMENTANDlNsTRUMENT ·267 DOI:IO.3724,SPJ.1187.2012.00267 90 nm和65 nm工艺下片上网络互连串扰故障模型分析宰 姜书艳1 罗 刚2 吕小龙1金卫1谢暄1 (1.电子科技大学自动化工程学院,成都61173l;2.成都工业学院,成都611730) 摘要:随着晶体管制造尺寸的越来越小,集成密度的越来越高,耦合电容与电感之间所引起的相邻互连线间的干扰噪声 电路串扰型故障的基本原理及串扰耦合模型,阐述了高速互连电路串扰型故障测试的主次因素机理等,并用HsPIcE仿真验证 小,线间的高速互连串扰现象愈明显。 关键词:№c:串扰;模型:HsPIcE 中图分类号:TN407 文献标识码:A 国家标准学科分类代码:510.1035 of faultmodeIof intercon鹏ctioncrosstalk Network-On-Cllip Analysis of 65哪 under 90衄and technique Luo Lv JinWeil)【ieXu锄1 JiaIlgShuyanlG锄92 Xiaolon91 ofAutomation (1.Sch∞l ofc岫Chengdu61173l,china; Engine舐ng,UniVersi哆ofElec们nicScience卸d毗hnology of IrIstinlte 611730,a血a) 2.Chengdu TecllIlologyChengdu Abstract:Asnlesizeof吐le胁sistoris呦deofsmaUermo他锄dmofe densi够ofinte刚ion,吐le high to interconnecdonliIlesincre撇 interferencenoi∞ofthe capacita】nces柚diIlductallcesbetweentlleadjacentthe coupled in in VLSI.皿ebasic of result h姗咖l mpidly锄dgrcat Iligherspeed跚ddens时ofn蛆otechlIolog),of test砸nciples of intcrconnectcircuitand crossta墩fault model,such勰in lligh—speed crosstall【couplcd indic删inttlis rel

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