Ag掺杂ZnO的第一性原理计算 First-Principles Calculation of ZnO Doped with Ag.pdfVIP

第28卷第5期 半导体学报 V01．28No．5 2007年5月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCTORS Mav。2007 Ag掺杂ZnO的第一性原理计算* 万齐欣 熊志华 饶建平 戴江南 乐淑萍 王古平 江风益+ (南昌大学材料科学研究所，教育部发光材料与器件工程研究中心，南昌 330047) 摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比 较系统的研究．研究表明，掺Ag导致品格膨胀；在ZnO晶格中，杂质Ag最可能以替代Zn位出现，此时将形成一 个深受主能级．文中的计算结果与其他研究者的实验结果相吻合． 关键词：ZnO；Ag；第一性原理；电子结构 PACC：7115M；7115H；7320A 中图分类号：TN304．02文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007)05-0696—05 Sham能量泛函形式中，电子之间的交换关联能是 1 引言 以电子密度的泛函形式给出的．本文的交换关联势 gradientapproxi- 采用广义梯度近似(generalized II．VI族半导体ZnO是继GaN材料之后又一 引起人们广泛关注的宽禁带直接带隙化合物半导体 心电子及原子核的库仑作用简化为离子对价电子的 材料，是制备紫外光电器件的优选材料．特别是 赝势作用yⅢ由于忽略了核心电子存在，使得价 ZnO薄膜的光泵浦近紫外受激发射现象的发 电子在原子核附近变得平滑，因而，可以用较少的平 现[1’2]，使得这一领域备受科研人员的关注，成为光 面波来构造电子波函数，从而使计算量大幅下降．计 电子等领域的又一研究热点．但是，由于ZnO存在 较多本征施主缺陷，会对受主掺杂产生自补偿作用， augmented 并且受主杂质固溶度很低，使得P型ZnO很难获VASP(viennaabinitiosimulation 得．众所周知，要制备P型半导体材料，必须通过受 码‘9t1川． 主掺杂才能实现．Ag就是P型ZnO的一种可供选 理想的ZnO晶体是六方纤锌矿结构，属于 择的掺杂元素．然而，到目前为止，还没有人报道用 P63mc空间群，每个原胞有4个原子．我们采用由 Ag作为受主掺杂获得较好的P型ZnO[3~6]．199132个原子组成的超晶胞(图1)．计算过程中，平面波 年，Kanai[71曾报道通过实验测量得到Ag在ZnO切断能E。。。为520eV，布里渊区K点网格取为5×5 中的能级位置位于导带底以下0．23eV，是深受主能×3．再增大平面波切断能和K点数体系总能收敛 级．但是，2002年，Gruzintsev等人[81在研究掺Au， Ag和Cu的ZnO薄膜的发光特性时，却发现Ag的 受主能级在价带顶0．20eV处．由此可见，实验测得 Ag在ZnO中的能级位置还存在着争议，因此有必胞中的离子位置以及原胞的体积都进行了弛豫计 要在理论上进一步澄清Ag在ZnO中的能级位置 算，当原子的受力小于0．1eV／nm时，弛豫停止． 及存在方式，以便为实验制备P型ZnO提供正确的 本文计算了Ag在Zn位、O位以及间隙位三种 理论指导． 构型的杂质形成能E，．计算公式为[1引： 本文应用第一性原理的计算方法，系统地研究了 b 。 Ag掺杂ZnO的几何结构、杂质形成能和电子结构．