C+注入a-SiNxH的原子化学键合的研究 XPS of SiCN Thin Films Prepared by C+ Implantation in Amorphous SiNxH.pdfVIP

第28卷第3期 半导体学报 V01．28NO．3 2007年3月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCToRS Mar．，2007 陈 超1 刘渝珍1’+ 董立军2 陈大鹏2 王小波1 (1中国科学院研究生院，北京100049) (2中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘要：常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a．SiN，：H薄膜进行C+注入，能量为30keV，剂量为 经800C高温退火处理后的薄膜形成了部分SiC。N，结构．用喇曼、XPS等分析手段对薄膜结构及成分进行了测量 与分析，得到不同退火温度对离子注入形成SiCN薄膜结构与成分的影响，认为高温退火后薄膜中硅含量与 SiC。N，薄膜的形成有重要的关系． 关键词：C+注入；SiCN；XPS；高温退火 PACC：6855；6860 中图分类号：TN304．2+4文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2007)03-0415-05 虽能加快薄膜的生长速率，但是不利于C—N键的 1 引言 形成，而是促使C—N键向C—Si／C—C的转化． 由于化学变化及局部结构重组的可控性，离子 自1985年Liu和Cohen预言存在一种与金刚 石硬度相当的CN化合物后，掀起了一股碳氮薄膜 注入为研究薄膜材料结构与性能之间的关系提供了 生长的热潮．但常见的薄膜都是非晶态，之后有人发 良好手段．于是一些研究人员通过离子注入方式制 现在生长碳氮薄膜时加入少量的Si有助于晶体结 构的形成．对8．C。N。的优良性能的深入研究，启发 化、性能更加优异的膜的好方法，其根本目的是提高 和促使研究人员于1996年发现并确认了SiCN薄 膜，该薄膜由于具有强硬度[1’2]、抗氧化性、高热扩入N+，他们认为随着N+剂量的增加，薄膜表层硬 散率以及宽禁带[3“]等优良特性，使对SiCN薄膜的度变得更加脆弱，而且Si2p结合能谱中峰值从SiC 研究成为了国内外关注的热点． Chen等人[51于1996年生成了纳米晶体SiCN 结构．他们在Si衬底上利用微波等离子化学气相沉 积的方法生长了CN薄膜．由于高衬底温度，使得Si退火温度对薄膜状态以及稳定性的影响，他们认为 离子可以经内扩散至表层CN材料中，在TEM衍 射图中获得了SiCN的单晶衍射花纹以及多晶环状离子剂量和退火温度过高都会破坏形成的Si—N 花纹．他们认为纳米晶体SiCN是一种宽禁带的材和Si—C． 料，发现其折射率随N的增加而减小，而硅的参与 则提高了折射率[3“’61；wu等人[73研究了用离子溅法制备了富硅的氮化硅薄膜，通过改变气源 射生成纳米SiCN，他们得到当溅射电压较低或者Si 含量较高时仅有非晶产生，而Si含量较少时则形成 积，获得了不同结构的a．SiN，：H薄膜，并在室温 纳米SiCN晶体薄膜，同时发现薄膜的折射率随Si下相应观测到了一个到三个不等峰位的PL峰，并 含量的增加而增加，但是纳米晶体出现时折射率反 对其原因进行了初步探讨[111．在此基础上，本文通 而减小．王恩哥等人[81曾用热丝化学气相沉积法研 cmq)注 究了气源比例及衬底温度对SiCN薄膜材料晶化的入氮化硅薄膜，经800℃退火2h，并对退火前和 影响．他们认为较高的衬底温度能提高薄膜生长速 800℃退火的样品进行了深度的结构测试、分析与初 度，但是不利于晶体的生长，同时气源中Hz的参与 步讨论． *中国科学院院长基金资助项目(批准号：936) ’通信作者．Email：yzhenliu@gucas．ac．cn 2006-09-02收到，2006-10-18定稿 ⑥2007中国电子学会 万方数据 416