CMOS亚阈偏置恒流源的分析与设计 Design and Analysis of a Sub-threshold Operation CMOS Reference Current Source.pdfVIP

第33卷第l期 电子工鏖师 V01．33No．1 2007年1月 ELECTRONICENGINEER Jan．2007 CMoS亚阈偏置恒流源的分析与设计 张春华，常昌远 (东南大学集成电路学院，江苏省南京市210096) 摘要：由于IC芯片设计普遍采用全局偏置技术，偏置电路的稳定性对整个电路的性能有较大影 响。文中利用MOS管工作在亚阈值区的偏置判断条件，分析了一种基于V，的工作在亚闽值区的偏置 电流源，能够满足提供较小工作电流、低功耗的要求，同时对电源变化敏感度极低，在电源电压O．7V ～5V变化时输出电流仅变化不到0．9％。整个电路采用CSMC0．6斗m双层多晶硅双层金属标准工 艺实现，采用cadencespectre进行模拟仿真，仿真结果证明了该电流源具有低功耗和高电源抑制比特 性。 关键诃：亚阈区偏置；低功耗；低工作电压；恒流源 中图分类号：TN402 温下的热电压。 O 引言 根据0．6肛m 偏置电路作为模拟集成电路中常用的基本单元电 如要使N管偏置在亚阈值区，则根据式(2)计算，单位 路，其功能是用来给其他电路模块提供稳定的电压或 宽长比，。=176nA，留出2倍的余量，取单位宽长比，。 电流，偏置电路的稳定性对整个电路的性能有较大影 =86 响。同时，随着便携式电子产品的广泛应用，也要求电 流，。小于860nA，即可保证该管工作在亚阈值区。 路的设计向低工作电压、低功耗的方向发展。 以上结果表明，判断器件是否工作在亚阈区，不能 为此，本文给出了一种低功耗、低电源工作电压的 仅从电流的绝对大小上看，还要看其宽长比，即要考察 恒流源的完整设计方案。 其有效栅压的大小。这在电路设计中具有重要指导意 义，即通过限定电流的大小，以及变化同一支路上各器 l设计思路 件宽长比之间的关系，可以有选择地将同一条支路中 为了有效降低功耗，减小工作电流，采用基于¨ 的部分器件设定在亚阈工作区，而其他器件设定在常 的工作在亚阈值区的电流源。 规的强反型工作区。 MOs管亚阈工作区的可控偏置比较困难。首先， 由于工艺漂移或衬底偏置效应，阈值电压‰的 mV～200 必须明确亚阈区的确切范围，其次必须保证当电源电 变化可达100 mV甚至更高。显然，如采用 压变化或工艺漂移时，亚阈工作区域能够稳定不变。 常见的偏置方式，很难保证器件在所有状态下都能处 亚阈区又称为弱反型工作区，介于强反型与截止 于亚阈区。因此，亚阈偏置只能采用自适应的偏置技 区之间，具体可从有效栅驱动电压和电流大小加以限 术。所谓自偏置，是将栅压取自本支路上的漏极电位， 定。文献[1]将电路的工作状态分为弱反型、中等反 当坼H变化造成支路电流变化时，栅偏电压也跟随变 型和强反型，各个状态之间的界限可根据电压或电流 化，动态反馈会使(％。一‰)仍然保持在规定的亚阈 来估计。本文考虑的亚阈值区是指与强反型为边界的 值范围内，工作状态不变。因此，当工艺漂移时，只要 弱开启区，即文献[1]中的漏极电流，。工作的区域： 采用的自偏置电路结构中存在限流机制，支路电