CMP抛光机抛光台温度控制的研究 Study on Temperature Control Technology of CMP Polish Table.pdfVIP

茎 鱼 夏 团 CMP抛光机抛光台温度控制的研究 王 伟，王东辉，李 伟 (中国电子科技集团公司第 四十五研究所 ，北京 东燕郊 101601) 摘 要 ：阐述 了CMP抛光机抛光 台的温度控制方法。用有 限元软件 ANSYS模拟 了抛光台和循 环水的热交换过程 ，并且分析循环水的流量和温度对热交换效率的影响，得 出循环水流量和温度 跟热交换效率的关 系。根据 它们之 间的关 系．设计 了一种 CMP抛光机抛光 台温度控制 系统和方 法 ．通过有限元软件 ANSYS模拟 了该温度控制系统和方法的控制过程 。模拟结果显示该系统和 方法不仅控制效率和精度都比较高，而且最终温度也很稳定 ，能够迅速 、精确 、稳定的将抛光 台表 面的温度控制在所设定的温度 ，很好的满足CMP抛光工艺的要求。 关键词 ：化学机械抛光 ：抛光 台：温度控制 中图分类号：TN305．2 文献标识码 ：A 文章编号：1004．4507(2011110．0024—05 StudyonTemperatureControlTechnologyof CM PPolishTable WANG Wei，W ANG Donghui，LIW ei (The45ResearchInstituteofCETC，Beijing101601，China，) Abstract：Thispaper introducesthe temperature controlsystem forthepolish table in Chemical MechanicalPolishing (CMP)equipment．BythefiniteelementsoftwareANSYS，theheat—exchange processbetweenpolishingtableandcirculatingwaterisanalyzed，andalsotherelationbetween the flow andtemperatureofwaterandthepolishingtable’Stemperautreissutdied．Basedontheanalyses result，thearticledesignsakind oftemperautrecontrolsystem forpolish table．And simulatethe processoftemperautre controlused theansyssoftware．The simulatedresultshowsby thisquick， accurateand stabletemperautrecontrolsystem，polishingtabletemperatureisundercontro1．Sothis system meetstherequirementsofCMPpolishingprocess． Keywords：Chemicalmechanicalpolishing；Polishtable；Temperaturecontrol 化学机械抛光 (CMP)是一种对半导体材料或 抛光是结合抛光液 中化学溶液的腐蚀和磨粒的机 是其它类型材料的衬底进行平坦化或抛光的方 械磨削双重作用，使硅晶片获得极高的平面度和 法，广泛应用于集成电路 (IC)制造业中。化学机械 平整度的一项工艺。如图 1所示，抛光时抛光台绕 收稿 日期 ：2011-08—05 万方数据 万方数据 CMP制造工艺与设备 电 孑 工 业 苣 用 i殳吝 - 在 50℃、60℃、70℃、80℃时，水的运动黏