HfO2高k栅介质等效氧化层厚度的提取 Extraction of Equivalent Oxide Thickness for HfO2 High k Gate Dielectrics.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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HfO2高k栅介质等效氧化层厚度的提取 Extraction of Equivalent Oxide Thickness for HfO2 High k Gate Dielectrics.pdf

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HfO2高k栅介质等效氧化层厚度的提取 Extraction of Equivalent Oxide Thickness for HfO2 High k Gate Dielectrics

第卷第期半导体学报 27 5 Vol.27 No.5 年月 2006 5 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS Ma 2006y Hf02 高栅介质等效氧化层厚度的提取k % ! 1 T 1 2 2 2 陈勇赵建明韩德栋康晋锋韩汝琦 ( 电子科技大学微电子与固体电子学院成都 ) 1 610054 ( 北京大学微电子系北京 ) 2 100871 摘要!分两步提取了高栅介质等效氧化层厚度( )首先根据测试结构等效电路采用双频 HfO2 a EOT . MIS C-V 特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正得出HfO2 高栅介质的准确a C-V 特性其次给出了一种利. 用平带电容提取高介质a EOT 的方法该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响采用该两步. 法提取的HfO2 高栅介质a EOT与包含量子修正的Poisson 方程数值模拟结果对比误差小于 5 验证了该方法的正确性. 关键词!高介电常数栅介质;等效氧化层厚度;二氧化铪 : ; : ; PACC 7340O 7360 EEACC 2530F 2520 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # TN386 A 0253-4177 2006 05-0852-05 介质电容测试结果产生误差通常的物理测量技术 l 引言如椭偏仪方法对于极薄的介质厚度测试精度较 []