导热填料研究现状及进展-各种填料分析介绍.docxVIP

导热填料研究现状及进展导热填料的技术研究现状导热绝缘材料的研究进展（1）无机非金属导热绝缘材料通常金属（如Au、Ag、Cu、Al、Mg等）均具有较高的导热性，但均为导体，无法用作绝缘材料，而部分无机非金属材料，如金属氧化物Al2O3、MgO、ZnO、NiO，金属氮化物AlN、Si3N4、BN，以及SiC陶瓷等既具有高导热性，同时也具有优良的绝缘性能、力学性能、耐高温性能、耐化学腐蚀性能等，因此被广泛用作电机、电器、微电子领域中的高散热界面材料及封装材料等。陶瓷封装具有耐热性好、不易产生裂纹、热冲击后不产生损伤、机械强度高、热膨胀系数小、电绝缘性能高、热导率高、高频特性、化学稳定性高、气密性好等优点，适用于航空航天、军事工程所要求的高可靠、高频、耐高温、气密性强的产品封装。由于陶瓷材料所具有的良好的综合性能，使其广泛用于混合集成电路和多芯片模组。在要求高密封的场合，可选用陶瓷封装。国外的陶瓷封装材料以日本居首，日本占据了美国陶瓷封装市场的90%～95%，并且占美国国防（军品）陶瓷封装市场的95%～98%。传统的陶瓷封装材料是Al2O3陶瓷，具有良好的绝缘性、化学稳定性和力学性能，掺杂某些物质可满足特殊封装的要求，且价格低廉，是目前主要的陶瓷封装材料。SiC的热导率很高，是Al2O3的十几倍，热膨胀系数也低于Al2O3和AlN，但是SiC的介电常数过高，所以仅适用于密度较低的封装。AlN陶瓷是被国内外专家最为看好的封装材料，具有与SiC相接近的高热导率，热膨胀系数低于Al2O3，断裂强度大于Al2O3，维氏硬度是Al2O3的一半，与Al2O3相比，AlN的低密度可使重量降低20%，因此，AlN封装材料引起国内外封装界越来越广泛的重视。（2）聚合物基导热绝缘材料由于聚合物材料具有优良的电气绝缘性能、耐腐蚀性能、力学性能、易加工性能等，人们逐步用聚合物材料代替传统的电气绝缘材料，但大多数聚合物材料的热导率很低，无法直接用作导热材料，需要通过加入导热性物质，使其成为导热绝缘材料。按获得导热性的方式，聚合物导热绝缘材料可分为本体导热绝缘聚合物和填充导热绝缘聚合物。本体导热绝缘聚合物通过在高分子合成或加工过程中改变其分子结构和凝聚态，使其具有较高的规整性，从而提高其热导率。填充型则是通过在高分子材料中加入导热绝缘填料来提高其热导率。填料的导热性能研究（1）填料的比例当导热填料的填充量很小时，导热填料之间不能形成真正的接触和相互作用，这对高分子材料导热性能的提高几乎没有意义。只有在高分子基体中，导热填料的填充量达到某一临界值时，导热填料之间才有真正意义上的相互作用，体系中才能形成类似网状或链状的形态——即导热网链。汪雨荻等在聚乙烯（PE）中填充氮化铝，并考察其导热性能；在电镜下观察到AlN与PE结合处存在间隙，这表明AlN不浸润PE。AlN/ PE复合材料在AlN体积分数小于12%时，其热导率基本保持不变；当AlN体积分数在12%～24%时，热导率增长较快；当体积分数大于24%后，热导率增长又变慢；当AlN体积分数达到30.2%时，复合材料的热导率趋于平衡，能达到2.44 W/（ m·K）。Giuseppe P等利用新型渗透工艺制备了AlN/PS互穿网络聚合物。将液泡状态PS单体及引发剂持续渗透到多孔性AlN中至平衡态，在氩气气氛中100℃、4h使PS完成聚合。从微观上在AlN骨架上形成了一个渗滤平衡的聚合物网络结构，即使PS体积分数低至12%也可形成网络结构。材料热导率随AlN用量增加而升高，在高用量时趋于平衡。PS体积分数为20%～30%时，材料同时获得高热导率和良好韧性。（2）填料的尺寸填料填充复合材料的热导率随粒径增大而增加，在填充量相同时，大粒径填料填充所得到的复合材料热导率均比小粒径填料填充的要高。Hasselman研究了不同粒径SiC填充的铝基复合材料的导热率，实验得到在20℃填充量为20%时热导率随着SiC粒径的增大也变大。但是，导热填料经过超细微化处理可以有效提高其自身的导热性能。唐明明等研究了在丁苯橡胶中分别加入纳米氧化铝和微米氧化铝得到的聚合物材料的导热性，发现在相同填充量下，纳米氧化铝填充丁苯橡胶的热导率和物理力学性能均优于微米氧化铝填充的丁苯橡胶，且丁苯橡胶的热导率随着氧化铝填充量的增加而增大。（3）填料的形状分散于树脂基体中的填料可以是粒状、片状、球形、纤维等形状，填料的外形直接影响其在高分子材料中的分散及热导率。汪雨荻利用模压法制备了聚乙烯/AlN复合基板，研究了AlN的结晶形态和填加量对复合基板热导率的影响。结果表明复合基板的热导率随AlN添加量的增大，最初变化很小，而后迅速升高，随后增速又逐渐降低；在相同的AlN填加量情况下，热导率最低的是AlN粉体复合材料，其次是含AlN纤维复合材料，最高的则是以晶须形态填