OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究 Growth and Spectral Analysis of OPS-VECSEL Chip.pdfVIP

器件制缝与应国 M柚Ilf-c嘶嵋彻dA即Ua妇ofDevke doi：10．3969／j．issn．1003-353x．2009．10．016 0PS．VECSEL芯片的生长与光谱研究 黄祖炎1’2，韦欣1，王青1，宋国峰1 (1．中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室，北京100083； 2．中国科学院研究生院，北京100039) 摘要：光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS—VECSEL)是一种新型激光器，在很多领 域都具有广阔的应用前景。采用MOCVD生长了工作波长为980nm的VECSEL芯片，测量了芯片 x射线衍射(XRD)图谱，光致发光(PL)谱和反射谱，结果表明，芯片生长的准确性较高。同 时采用物理光学的理论结合实际模型，运用矩阵分析方法计算了VECSEL的反射谱，计算结果与 实验结果吻合良好。最后，通过对不同窗口层厚度的纵向增强因子的计算和分析得到了共振结构 具有高的峰值增强，反共振结构具有大的增益带宽。在理论上提出，对于该OPS．VECSEL结构， 采用共振和反共振结构之间的窗口厚度可以使其稳定工作在特定波长而又不严格限制增益带宽。 关键词：垂直外腔面发射激光器；金属有机化合物气相淀积；反射谱；纵向增强因子 文献标识码：A 中图分类号：TN248．4 Growthand ofOPS-VECSEL SpectralAnalysis Chip Xinl，WangQin91，SongGuofen91 HuangZuyanl”，Wei Lab，InstituteScm／conductors，CAS，Beq／愕100083，Ch／na； (1．Nano-Optoelectronicsof 2．GraduateSchooltheChinese of ofSc／ences，Be#／,e100039，Ch／na) Academy semiconductor Abstract：Opticallypumped vertical·external-cavity with anovelsemiconductorlaserandcanbe in fields VECSEL VECSEL)is appliedmany potentially．Achip of980nmwas MOCVD．Resultsof ofthe wavelength grownby XRD，photohminescence(PL)andreflectivity andtheactual matrixformulation showthe of model，a chip accuracygrowth．Combiningphysicalopticstheory methodWasusedfornumericalevaluationofVECSEL showsa chipreflectivity．Theoreticalanalysis good w