RIE对Ge衬底上制备亚波长结构形貌的影响 Influence of RIE Process Parameters on the Morphology of Sub-Wavelength Structure on Ge Substrate.pdfVIP

技术专栏 Column T∞Imology doi：10．3969／j。issn．1003—353x。2010．06．003 RI E对Ge衬底上制备亚波长结构形貌的影响 郑倩，刘正堂，李阳平，张淼，车兴森 (西北工业大学材料学院，西安710072) 摘要：利用反应离子刻蚀(RIE)技术在Ge衬底上制备宽波段亚波长结构，研究了不同 SF6／Oz比例条件下在不同刻蚀时间、压强和射频功率对结构形貌及刻蚀深度的影响，并用SEM 对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。结果表明。SF6易与衬底发生反应，生成挥发性产物，加速 了刻蚀速度。02的加入生成的钝化膜会增强各向异性刻蚀，减慢了刻蚀速度，对村底有刻蚀保 护作用。增加压强可以增大刻蚀深度，但增