SOI基纳米硅薄膜超微压压力传感器研究 Research of nano-silicon thin film ultra-miniature pressure sensor based on SOI.pdfVIP

第27卷第12期 电子测量与仪器学报 ％f．27No．12 MEASUREMENTANDINSTRUMENT ·1107_ 2013年12月 OFELECTRONIC JOURNAL DOI：10．3724／SP．J．1187．2013．01107 SOI基纳米硅薄膜超微压压力传感器研究 许高斌 李凌宇 陈 兴 马渊明 (合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心合肥230009) 力敏感薄膜结构。利用纳米硅薄膜作为压敏电阻，A1N薄膜作为绝缘层，埋层氧化层自停止腐蚀制作压力空腔。该传感器 的制备丁艺简单，一致性、重复性好。通过ANSYS模拟分析了压力敏感层结构参数对传感器灵敏度的影响以及传热特性， 验证了结构设计和理论模型的正确性和合理性。研究表明，该传感器灵敏度可达到1．3mV／(kPa·V)，输出电压可达到 0．65 Pa超微压的测量。 mV