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SCR 器件在深亚微米CMOS静电保护电路中的应用 Application of SCR Device in Deep Sup-micron COMS ESD Protect circuit
第27 卷第5 期 电子 工 艺 技 术
2006 年9 月 Eiectronics Process Technoiogy 277
SCR 器件在深亚微米 CMOS 静电保护电路中的应用
1、2 1 2
江清明 ,罗宏伟 ,周继承
(1. 信息产业部电子第五研究所,广东 广州 510610 ;2 . 中南大学,湖南 长沙 4 10083 )
摘 要::CMOS 工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD )保护能力受到了更大的限
制。因此,对ESD 保护的要求也更加严格,需要采取更加有效而且可靠的ESD 保护措施。针对近
年来SCR 器件更加广泛地被采用到CMOS 静电保护电路中的情况,总结了SCR 保护电路发展过程
中各种电路的工作机理。旨在为集成电路设计人员提供ESD 保护方面的设计思路以及努力方向。
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