P型透明导电Cu-Al-O薄膜的直流共溅射法制备 Preparation of p-type Transparent Conducting Cu-Al-O Films by DC Co-sputtering.pdfVIP

SEMICoNDUCToRoPIDELECTRoNICSV01．29No．5 P型透明导电Cu—AI—O薄膜的直流共溅射法制备 杨兵初，马学龙，张 丽，颜建堂 (中南大学物理科学与技术学院。湖南长沙410083) 摘要： 采用Cu靶和Al靶直流共溅射法制备了P型透明导电Cu—Al—O薄膜。用原予力显 微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、四探针测量仪、紫外一可见分光光度计对样品进行了表征。结 果表明，对所制备的P型透明导电Cu-Al—O薄膜经高温退火后，其结晶质量和导电性能均有一定 eV。 提高，薄膜在可见光区的平均透过率接近70％，禁带宽度约为3．75 关键词： 直流共溅射；P型透明导电薄膜；Cu-Al-0薄膜；高温退火 中图分类号：0484．4 of Cu-AI-OFilmsDC Preparation p-typeTransparentConducting by C