大气与真空下功率vdmos散热特性研究 study on transfer heat performance of power vdmos in the atmosphere and vacuum.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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大气与真空下功率vdmos散热特性研究 study on transfer heat performance of power vdmos in the atmosphere and vacuum.pdf

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大气与真空下功率vdmos散热特性研究 study on transfer heat performance of power vdmos in the atmosphere and vacuum

验M材耐料岫与m器～件∞ DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2011．07．004 大气与真空下功率VDMOS散热特性研究丁凯凯，冯士维，郭春生，刘静 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京100124) 摘要：针对功率VDMOs真空下壳温显著升高的问题，对安装叉指形散热器的功率VDMOs 进行了三维建模和温度场模拟分析，研究了其在大气与真空环境下的散热模型。真空环境下功率为10W、散热片面积为278．42 气及真空下壳温与工作功率及散热器表面积之间存在的关系，并进行了相应实验，利用公式计算出的器件壳温与实验壳温的最大差值，大气下不超过2℃、真空下不超过3℃，皆未超过5％，该公式可以作为功率VDM0s应用及热设计的参考依据。分析了真空环境下，功率VDMos壳温显著升高的原因，并提出了改善措施。关键词：热分析；功率VDMos；真空；可靠性；热设计中图分类号：TN386文献标识码：A onTransferHeatPerformanceofPowerVDMOSinthe Study andVacuum Atmosphere Guo “u Kaikai，FengShiwei， Ding Chunsheng，Jing (coZ如舻o，E如clro，l据删备motiDn口ndco眦rof层昭iMe一昭， The andsimulation0f fieldfor Abstract：tllree-dimensional(3-D)modeling temperaturepower Verticaldouble—difhsedmetaloxidesemiconductor heatsink tI’ansistors(VDMOS)with staggered—finger to thethe珊al invacuum．Theheatconductionmodelwas weI它pI℃sentedanalyze dissipationproblem simulatedin andvacuum condition andthere8ultsindicatethatthecase atmosphere boundary respectively of in is thanthatof in with VDMOSvacuum thesituation temperaturepower 89．8℃higher atmosphere lOWof and278．42cm2ofsuIfaceareaoftheheatsink．Basedonthe powerdissipation simulation，an approximate ofcase intemsof andsur|_aceareaofheatsinkis expressiontemperature power proposed． The measureme