关于旁路电容的深度对话-硬件和射频工程师.PDF

关于旁路电容的深度对话关于旁路电容的深度对话 关于旁路电容的深度对话关于旁路电容的深度对话 通过一次关于基本知识的对话，让我们深入考察那没有什么魅力但是极其关键的旁路电容 和去耦电容。 编辑引言：旁路电容是关注度低、没有什么魅力的元器件，一般来说，在许多专题特写中 不把它作为主题，但是，它对于成功、可靠和无差错的设计是关键。来自Intersil 公司的 作者David Ritter 和Tamara Schmitz 参加了关于该主题的进一步对话。本文是对话的第 一部分。Dave 和Tamara 信仰辩论的价值、教育的价值以及谦虚地深入讨论核心问题的 价值；简而言之，为了获取知识而展开对一个问题的讨论。下面请“聆听”并学习。 David: 有一种观念认为，当我们做旁路设计时，我们对低频成分要采用大电容(微法级)， 而对高频成分要采用小电容(纳法或皮法级)。 Tamara: 我赞成，那有什么错吗？ David: 那听起来很好并且是有意义的，但是，问题在于当我在实验室中验证那个规则时 并未得到我们想要的结果！我要向您发出挑战，Tamara 博士。 Tamara: 好啊！我无所畏惧。 David: 让我们看看，你有一个电压调整器并且它需要电源。电源线具有一些串联阻抗(通 常是电感以及电阻)，这样对于短路来说，它在瞬间提供的电流就不会出现大变化。它需 要有一个局部电容供电，如图1 所示。 图1：旁路电容的功能。 Tamara: 我到目前均赞成你的观点。那就是旁路的定义。Dave，接着说吧。 David: 例如，有些人可能用0.1 µF 电容进行旁路。他们也可能用一个1000pF 的电容紧 挨着它以处理更高的频率。如果我们已经采用了一个0.1 µF 的电容，那么，紧挨着它加 一个1000pF 电容就没有意义。它会增加1%的容值，谁会在意？ Tamara: 然而，除了电容值之外，有更多要研究的内容。这两种数值的电容均不理想。 David: 我们必须考察0.1 µF 的实际电路；它存在有效串联电阻(ESR)以及有效串联电感 (ESL)。 Tamara: 有时候，你还要把介质损耗一项当成一个并联电阻来考虑，如图2 所示。 图2：旁路电容的模型。 David: 现在，当我们遇到具有瞬态特性的这一损耗时，我们假设0.1 µF 电容的ESL 远远 大约1000pF 的电容。我们需要某一器件在短期内供电，因ESL 的存在而让0.1 µF 的电 容做不到这一点。假设就在于1000pF 的电容具有更低的ESL，因此，能够提供更好的电 流。 Tamara: ESL 与你获得以及封装的电容的类型有关。其数值可能完全独立于电容本身的尺 寸和数值，如图3 所示。 David: (显示出对年轻同事所具有的知识的惊讶) Tamara: 我曾经看到过一些人把100 nF、10 nF 和1 nF 的电容分级并联起来使用，它们 可能均采用相同的封装，例如0402，因为这些电容通常就是采用这种封装形式。然而， 每一种0402 封装均具有相同的ESL，因为它们具有相同的电感以及相同的高频响应，因 此，这么安装电容于事无补。 图3：旁路电容的阻抗。 David: 我们在实验室中所发现的问题在于，各种封装均是类似的。我们所采用的大多数 陶瓷电容均为面积是0805 或0603 的电容。我测试发现，把0603 0.1 µF 电容挨着0603 100pF 电容安装，效果上不如仅仅采用两个0603 0.1 µF 的电容。 Tamara: 那是完全有可能。我猜测，你所处的频率范围就是0603 0.1 µF 电容被最优化的 频率范围。 图4：相同尺寸和不同尺寸的电容的阻抗比较。 David: 是的，ESR 和ESL 是原数值的一半且非常管用。在这些应用中，我所研制的开关 调整器的工作频率大约为1MHz。 Tamara: 在你的情况下，要调整电容的数值以及封装，以改善对你没有兴趣的那个频率范 围的旁路网络。图4 假设我们谈论的是相同类型的电容(陶瓷电容)。其它类型的电容—如 钽电容—具有更高的ESR，因此，整个曲线突起。另一方面，有时可能全部要采用钽电容。 David: 我们现在讲讲历史。过去，人们采用他们手上能用的一切元器件。那时，你无法 获得封装小的100 µF 电容，