2017年 华中科技大学 901半导体物理 硕士研究生招生考试大纲.pdf

布丁考研网，在读学长提供高参考价值的复习资料 华中科技大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲 科目名称：半导体物理 代 码：901 第一部分 考试说明 一、考试性质 全国硕士研究生入学考试是为高等学校招收硕士研究生而设置的。它的评价标准 是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有基本 的半导体物理基础并有利于在专业上择优选拔。 考试对象为参加全国硕士研究生入学考试的本科毕业生，或具有同等学历的在职 人员。 二、考试的学科范围 考试内容包括：半导体中的电子状态、半导体中杂质和缺陷能级、半导体中载流 子的统计分布、半导体的导电性、非平衡载流子、pn 结、金属和半导体的接触、半导 体表面与MIS 结构、半导体异质结构、半导体的光学性质和光电与发光现象、半导体 的热电性质。 三、评价目标 本课程考试的目的是考察考生对半导体物理的基本概念、基本原理和基本方法的 掌握程度和利用基础知识解决电子科学与技术相关问题的能力。 四、考试形式与试卷结构 1 答卷方式：闭卷，笔试。 2 答题时间：150 分钟。 3 总分：满分 150 分 4 题型比例 名词解释 20 、填空题20 、证明题20 、作图及说明题50、简答题 10、计算题 10、论述题20 1 布丁考研网，在读学长提供高参考价值的复习资料 第二部分 考查要点 1 半导体中的电子状态 半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运 动、有效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；硅和锗的能带结构；Ⅲ– Ⅴ族化合物半导体的能带结构；Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构；Si1-xGex 合金的能 带；宽禁带半导体材料。 2 半导体中杂质和缺陷能级 硅、锗晶体中的杂质能级；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级；氮化镓、氮化铝、碳 化硅中的杂质能级；缺陷、位错能级。 3 半导体中载流子的统计分布 状态密度；费米能级和载流子的统计分布；本征半导体的载流子浓度；杂质半导 体的载流子浓度；一般情况下的载流子统计分布；简并半导体；电子占据杂质能级的 概率。 4 半导体的导电性 载流子的漂移运动和迁移率；载流子的散射；迁移率与杂质浓度和温度的关系； 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系；玻耳兹曼方程、电导率的统计理论；强电场下 的效应、热载流子；多能谷散射、耿氏效应。 5 非平衡载流子 非平衡载流子的注入与复合；非平衡载流子的寿命；准费米能级；复合理论；陷 阱效应；载流子的扩散运动；载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式；连续性方程式； 硅的少数载流子寿命与扩散长度。 6 pn 结 pn 结及其能带图；pn 结电流电压特性；pn 结电容；pn 结击穿；pn 结隧道效应。 7 金属和半导体接触 金属半导体接触及其能级图；金属半导体接触整流理论；少数载流子的注入和欧 姆接触。 8 半导体表面和MIS 结构 2 布丁考研网，在读学长提供高参考价值的复习资料 表面态；表面电场效应；MIS 结构的C–V 特性；硅–二氧化硅系统的性质；表面 电导及迁移率；表面电场对pn 结特性的影响。 9 半导体异质结构 半导体异质结及其能带图；半导体异质pn 结的电流电压特性及注入特性；半导体 异质结量子阱结构及其电子能态与特性；半导体应变异质结构；GaN 基半导体异质结 构；半导体超晶格。 10 半导体的光学性质和光电与发光现象 半导体的光学常数；半导体的光吸收；半导体的光电导；半导体的光生伏特效应； 半导体发光；半导体激光；半导体异质结在光电子器件中的应用。 11 半导体的热电性质 热电效应的一般描述；半导体的温差电动势率；半导体的珀耳帖效应；半导体的 汤姆逊效应；半导体的热导率；半导体热电效应的应用。 3