界面对PZT铁电薄膜性能影响.pdfVIP

摘 要 摘要 AB03系钙钛矿结构铁电薄膜是一类强介电材料，其介电常数可高达102～ 106，由于具有优良的铁电、压电、热释电、电光、声光及非线性光学特性，具 有其它材料不可比拟的优越性能，使得它在红外探测器、非挥发存储器、电光器 件、机电耦合器件等众多方面具有广泛的应用前景。自20世纪90年代以来，一 直是新型功能材料领域的研究前沿和热门，其中PZT由于剩余极化大而尤其受 到人们的青睐。 对于薄膜，在较低的温度甚至室温下就可能发生显著的反应或互扩散。然而， 在铁电薄膜／衬底间的互扩散和界面的结晶膜不好导致铁电体性能下降的问题一 直未能得到很好的解决。PZT薄膜器件的基本结构是铁电薄膜夹在作为上下电极 的导电膜中构成的“三明治”结构，在铁电薄膜／上下电极间会形成一层界面，会 影响铁电薄膜的性能。 本文的目的是利用射频磁控溅射工艺在硅基(三种si衬底：P型低阻Si(111) 备PZT铁电薄膜，分析界面对PZT铁电薄膜性能的影响。主要的工作内容包括 以下几个方面： (1)LNO底电极的制备 以p-Si为衬底，在不同的衬底温度下沉积LNO底电极薄膜，经不同的退火 LNO钙钛矿相(200)峰增强了，表现为择优取向(100)。 (2)PZT铁电薄膜的制各 在LNO／p—Si衬底上溅射沉积PZT铁电薄膜，结果表明，在衬底温度260。C 11)衍射峰；但经650。C后退 下沉积的PZT薄膜出现微弱的钙钛矿相结构的(1 峰，最强的是(110)峰；PzT薄膜经后退火处理，表面起伏有所增大，铁电性 能有了较大的提高，漏电流降低了3个数量级。 (3)PZT／Si界面对PZT铁电薄膜性能的影响 摘 要 长的PZT铁电薄膜是(111)择优取向生长的，有对称的电滞回线，而在Ps．si 上生长的PZT铁电薄膜是(1lO)择优取向生长的，其电滞回线存在严重的不对 称性。 (4)LNO底电极／Si基底界面对PZT铁电薄膜性能的影响 都出现PZT钙钛矿相的多结晶取向，但是LNO／PS—Si上生长的PZT薄膜有较强 能更好，但是在LNO伊S．Si上生长的PzT铁电薄膜的铁电性能又有较大的提高。 (5)PZT／底电极界面对PZT铁电薄膜性能的影响 取向，而PZT／LNO／Pt样品呈现单一的PZT(110)取向。 (6)顶电极／PZT界面对PZT铁电薄膜性能的影响 现钙钛矿相(100)择优取向；在PZT／LNO／Si样品上制备不同的顶电极，虽然 PZT薄膜的结构相同，但性能出现差异，用LNO作项电极的样品比用金属(Ag 和Cu)作顶电极的样品具有更大的饱和极化、剩余极化和较小的矫顽场，在1V Cu作顶电极的样品的剩余极化只有2-4I．tC／cm2。 关键词： 钙钛矿结构PZT铁电薄膜LNO电极界面射频磁控溅射 lI ABSTRACT ABSTRACT Duetotheir dielectric 02-一，1 high constant(1 06)andspecialperformance，in recent efforthas beenmadeonthestudiesof decades，much series AB03 perovskite s仇lctureferroelectric as