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离子束切割机三离子束切割仪几乎适用于任何材质样品，获得高质量切割截面。使用离子束切割是一项适用于切割硬的，软的，多孔的，热敏感的，脆的和/或非均质多相复合型材料，获得高质量切割截面，以适宜于扫描电子显微镜（SEM）微区分析（能谱分析EDS，波谱分析WDS，俄歇分析Auger，背散射电子衍射分析EBSD）和原子力显微镜（AFM）分析。这一技术几乎是唯一一个适用于任何材质样品，获得高质量切割截面的解决方法。使用该技术对样品进行处理，样品受到形变或损伤的可能性最低，可暴露出样品内部真实的结构信息。徕卡EM TIC 3X在技术上超越了传统的离子束抛光切割设备。它使用三离子束，并可装配冷冻样品台和三样品台，可以高速率离子束轰击样品，得到宽且深的切割区域，获得一个高质量的平整的切割截面，几乎适用于任何材料，整个样品处理过程快速简便。Leica EM TIC 3X - 设计和操作方面的创新性特点通量，提高成本收益可获得高质量切割截面，区域尺寸可达4×1mm多样品台设计可一次运行容纳三个样品离子研磨速率高，Si材料300um/ h，50um切割高度，可满足实验室高通量要求可容纳最大样品尺寸为50×50×10mm可使用的样品载台多种多样简单易用，高精度可简易准确地完成将样品安装到载台上以及调节与挡板相对位置的校准工作通过触摸屏进行简单操控，不需要特别的操作技巧样品处理过程可实时监控，可以通过体视镜或HD-TV 摄像头观察LED 照明，便于观察样品和位置校准内置式，解耦合设计的真空泵系统，提供一个无振动的观察视野可在制备好的平整的切割截面上可再进行衬度增强作用，即离子束刻蚀处理。通过USB即可进行参数和程序的上传或下载几乎适用于任何材质样品使用冷冻样品1 样品2 挡板3 样品侧面4 离子束汇聚点5 目标区域6 待观察检测区域三离子束技术徕卡EM TIC 3X 的特点是三个鞍形场离子源集于一体综述三离子束部件垂直于样品侧表面，因此在进行离子束轰击时样品（固定在样品托上）不需要做摆动运动以减少投影/遮挡效应，这又保证有效的热传导，减少样品在处理过程中受热变形。技术三离子束汇聚于挡板边缘的中点，形成一个100°轰击扇面，切向暴露于挡板上方的样品（样品上端高出挡板约20-100um ），直到轰击到达样品内部目标区域。新型设计的离子枪可产生的离子束研磨速率达到300um/h (Si10 kV，3.0 mA，50um切割高度)。徕卡独特的三离子束系统，可获得优异的高质量切割截面，并且速率高，切割面宽且深，这可大大节约工作时间。通过这一独特技术可获得高质量切割截面，区域尺寸可达4×1mm使用在使用时，每一把离子枪可以单独控制和开关。这便于操作者根据应用需要设置不同的离子枪参数，如做衬度增强作用（离子束刻蚀）或温和地离子束轰击。装配您的系统现在的科研实验室往往寻求快速简单的样品制备方法同时又不放弃高质量高标准要求。徕卡EM TIC 3X三离子束切割仪的创新技术正为这一类有着高期望值的实验室提供解决方案，以实现你们的目标。根据应用需求，徕卡EM TIC 3X可以由您装配用于标准类型样品制备，高通量样品制备以及特殊的热敏感型样品在低温下样品制备（如聚合物，橡胶等）。根据应用需求，有三种样品台可选，更换简便：标准样品台标准样品台适用于常规样品制备以及对制备获得的平整截面再做衬度增强作用（离子束刻蚀）。三样品台如需高通量样品制备，可使用三样品台。可以同时放入三个样品，一次运行（如过夜运行）完成样品制备，不需要操作者介入。冷冻样品台冷冻样品台提供低温环境下样品制备。使用冷冻样品台，样品载台和挡板温度都可降至–150°C，这样温度极敏感的样品，如橡胶，水溶性聚合物纤维，甚至是棉花糖（如实验需要）也可被制备获得高质量结果。25L的液氮罐可为一整个工作日提供足够量的LN2，不需要中途再添加。当需要打开样品室，样品及冷冻部件将在真空环境下先自动升温恢复至预设的合适温度，以避免样品室内部结霜污染。多种多样的样品载台：几乎适合于各式尺寸样品，并适合于广泛用途。如用一个样品托，就可以完成前机械预制备（徕卡EM TXP）至离子束切割（徕卡EM TIC 3X），以及SEM镜检，然后再放入样品存储盒中以备后续检测。标准样品台配套的衬度增强样品载台：1)样品处于离子束切割的位置；2)在低kV下进行几分钟的衬度增强作用铜样品：左：离子束切割之后；中：又做了衬度增强的步骤（离子束刻蚀）之后；右：局部放大观察金线接点：左：离子束切割之后；右：又做了衬度增强的步骤（离子束刻蚀）之后衬度增强作用在离子束切割之后，无需取下样品，用同样的样品载台还可对样品进行衬度增强作用，可以强化样品内不同相之前的拓扑结构（如晶界）。高精度现在，样品中越来越小的细节结构正逐步受到人们的关注。而通过切割获得截面，如获得很小的