四层单电子垂直耦合量子点的基态跃迁.pdfVIP

第 35卷 第4期 河南师范大学学报 (自然科学版) VDl2．35 No．4 2007年 11月 JournalofHenanNormalUniversity (NaturalScience) N07)．2007 文章编号 ：1O0O一2367(2007)04—0086—03 四层单电子垂直耦合量子点的基态跃迁 王安梅 ，蔡子亮 (许 昌学院 电信学院，河南 许 昌461000) 摘 要 ：用精确对角化的方法研究了处于外磁场中四层单电子垂直耦合量子点系统．我们以总自旋s—o为例 计算了基态跃迁随外磁场的变化关系．我们发现在强耦合情况下基态会随着外磁场 的增大出现不连续跃迁 ，而在弱 耦合情况下就不会产生基态跃迁． 关键词 ：耦合量子点；基态跃迁；少体物理 中图分类号：0469 文献标识码 ：A 近年来，随着半导体科学技术的迅速发展 ，半导体量子点引起 了物理学界的广泛关注．根据量子力学分 析，量子点中的载流子在三个维度方向上的能量都是量子化的，其态密度分布为一系列的分立函数，类似于 原子光谱性质，因而人门往往也把量子点称之为 “人造原子”．控制量子点的几何形状和尺寸可改变其电子结 构 ，实现量子点器件 的电学和光学性质的 “剪裁”，是 目前 “能带工程”设计的一个重要组成部分 ，也是国际 研究的前沿热门领域 ]． 目前 ，在实验上人们已经可以制备不同形状 (盘状、球状以及椭圆状等)、不同尺寸 (几个纳米到几百个纳 米)的量子点，其 中载流子的数 目和量子点的层数可以人为的控制．在基础理论方面 ，人们对半导体量子点的 各种性质也展开 了广泛的研究．早在 1983年 ，Laughlin 在研究分数量子霍尔效应时就曾经研究过在磁场 作用下受简谐势约束的三个电子二维系统的量子态问题 ，他研究了最低 Landau能级的自旋极化态 ，指出具 有幻数角动量L一3K，K—l，2… ．的态是基态．1998年 ，解文方[4 等人计算 了在有效质量近似下，考虑一 被简谐势约束的二维三电子系统 ，研究了量子尺寸效应和外磁场的作用 ，以及量子盘三电子系统的基态性质 和磁场中量子点四电子系统的基态性质．近年来 ，对耦合量子点的研究引起 了许多科学工作者的关注_7]． 然而，这些工作都主要集中于研究双层量子点系统 ，仅有很少的工作与多层量子点系统有关 ，从理论的角度 来看，研究彼此相互独立的多层垂直的耦合量子点有很大的意义．本文将用精确对角化的方法研究四层垂直 耦合量子点系统的耦合强度和外磁场对基态跃迁的影响． 1 理论计算方法和模型 对四层单电子量子点系统 ，每层上电子的数 目，束缚势的强度和相邻量子点之间的距离在实验上都是能 够精确控制的．为简便起见 ，我们仅考虑每层量子点仅含有一个 电子 ，外加束缚势为抛物势 ，且所有电子被束 缚在X—Y平面内，外加均匀磁场垂直于量子点平面 (X—Y平面)．在有效质量近似下，该量子点系统的哈 密顿量可写为 4 1 1 H一 三：[_l(p+ )+-4-rn~09r]+V+V一g BB5：， (1) 1 c c 厶 其 中mc。表示每个电子的有效质量，。表示简谐势的圆频率 ，p，r何A 分别表示第 i个电子的动量 ，位矢和 矢势，V 和V 表示量子点内部 电子之间的库仑相互作用势．g 是朗德因子，e是玻耳磁子 ，5 表示总 自旋 沿Z方向上的投影，d表示两个量子点之间的距离 ，取A===B(一 ，，0)／2，则系统的哈密顿量可以写为 收稿 日期 ：2006—10—14 基金项 目：河南省基础与前沿技术研究计划项 目(072300410380) 作者简介：王安梅(1979一)，女，河南商城人，许 昌学院讲师，研究方向凝聚态物理和理论物理． 第 4期 王安梅等 ：四层单 电子垂直耦合量子点的基态跃迁 87 H一 ( +吉m + +z+ L一gBS，